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公开(公告)号：CN120048299A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202311607822.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C7/06 , G11C11/4063
Abstract: 本申请实施例提供一种存储器装置及其操作方法、存储器系统以及感测电路。其中，存储器装置包括：存储器单元阵列；第一感测电路，通过第一数据线对耦合至存储器单元阵列；第二感测电路，通过第二数据线对耦合至第一数据线对；隔离电路，位于第一数据线对和第二数据线对之间；控制电路，被配置为：第一感测阶段，控制第一感测电路将数据信号放大至第一感测信号，控制隔离电路连通第一数据线对和第二数据线对；第二感测阶段和第二感测阶段之后的预充电阶段，控制隔离电路断开第一数据线对和第二数据线对，第二感测阶段控制第二感测电路将第一感测信号放大至第二感测信号，预充电阶段控制第二感测电路将第二数据线对充电至预充电电压。
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公开(公告)号：CN119541576A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311114181.6
申请日：2023-08-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/406
Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统和电子设备。该存储器包括存储单元阵列和耦接存储单元阵列的外围电路；外围电路包括：温度感测电路，温度感测电路被配置为：感测存储器的温度，基于感测的温度生成温度信号；控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为：基于温度信号和映射表确定目标刷新周期；其中，映射表包括多个预设温度信号和多个预设刷新周期，多个预设温度信号和多个预设刷新周期一一对应；刷新控制电路，刷新控制电路被配置为：将刷新信号的刷新周期调整为目标刷新周期；其中，刷新信号用于指示对存储单元阵列执行刷新操作。
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公开(公告)号：CN118284939A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280005035.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C29/00
Abstract: 一种在具有共同耦接的一个或多个焊盘的多个非易失性存储器管芯中的每一者中配置终端电阻电路的方法，包括：由每个非易失性存储器管芯确定该非易失性存储器管芯是操作的目标还是非目标；由非易失性存储器管芯中的确定其为目标的每个非易失性存储器管芯设置第一终端电阻配置值，由非易失性存储器管芯中的确定其为非目标的每个非易失性存储器管芯设置第二终端电阻配置值；由每个目标非易失性存储器管芯至少部分地基于第一终端电阻配置值来配置其对应的终端电阻电路以提供第一阻抗，并且与由每个目标非易失性存储器管芯进行配置同时地，由每个非目标非易失性存储器管芯至少部分地基于第二终端电阻配置值来配置其对应的终端电阻电路以提供第二阻抗。
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公开(公告)号：CN115985369A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211338154.2
申请日：2022-10-28
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请公开一种存储器的操作方法、存储器及存储系统。其中，所述存储器包括存储阵列和用于控制所述存储阵列的外围电路；所述操作方法包括：获得在第一场景下为所述外围电路定制的第一运行数据；所述第一场景不同于在初始化配置时为所述外围电路配置的默认场景；基于所述第一运行数据对所述外围电路进行配置，使所述存储器的性能满足在所述第一场景下的要求。
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公开(公告)号：CN119559986A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311142821.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/06
Abstract: 本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统，所述存储器包括行锤控制电路，包括多个计数器，每个所述计数器用于对一个存储行的被访问次数进行计数，并生成第一计数值；调节电路，连接所述多个计数器；所述调节电路用于当多个所述第一计数值均达到目标阈值时，重置每个所述计数器，以将每个所述第一计数值调整同一偏移值，生成多个第二计数值；所述行锤控制电路还用于根据所述多个第二计数值确定目标存储行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118298883A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310008423.7
申请日：2023-01-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种存储器装置包括：存储器阵列以及与存储器阵列耦接的外围电路；所述外围电路包括与同一位线耦接的至少两个感测电路，所述至少两个感测电路的跳变阈值均不同，所述外围电路被配置为：提供第一编程电压到与所述存储器阵列中多个选定存储单元耦接的选定字线，以对所述多个选定存储单元进行第一编程操作；提供验证电压到所述选定字线，得到所述至少两个感测电路的感测信息；根据所述至少两个感测电路的感测信息共同确定所述多个选定存储单元中每个选定存储单元的阈值电压所属的分组；所述分组的组数为M，所述M为大于二的正整数。
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公开(公告)号：CN114360629A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111632356.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供了一种存储器芯片的测试方法，其中被测试的存储器芯片具有对应数据通道的数据输入/输出端口和芯片使能端口，测试方法包括：从数据输入/输出端口接收来自测试仪的模式编码信号，模式编码信号包括用于控制芯片使能端口的第一编码信息；以及在测试的过程中基于第一编码信息控制芯片使能端口。本申请的测试方法通过减少单个存储器芯片占用探针的数量来提高测试仪的测试效率，在一定程度上提高了测试仪并行测试芯片的能力，减少了芯片测试的时间，提高了测试效率，降低了生产成本。同时，使用更少的探针进行芯片测试可在一定程度上减少探针之间的信号串扰，提高测试质量。
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公开(公告)号：CN120032691A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311574212.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/04 , G11C11/408 , G11C11/4094
Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器装置及其控制方法以及存储器系统，所述存储器装置包括：存储阵列以及与所述存储阵列耦合的外围电路，所述存储阵列包括多个存储行，每一个所述存储行包括耦合在一条字线上的多个存储单元；所述外围电路被配置为：响应于读取命令，判断刷新表中是否存在与所述读取命令对应的第一存储行的第一地址信息相同的地址信息；所述刷新表存储有多个地址信息，每一个地址信息对应所述多个存储行中的一个存储行；响应于所述刷新表中存在与所述第一地址信息相同的地址信息，将与所述第一地址信息相同的地址信息从所述刷新表中删除。
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公开(公告)号：CN119673241A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311220208.X
申请日：2023-09-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/406
Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统和电子设备。该存储器包括外围电路；外围电路包括：第一寄存电路，第一寄存电路被配置为存储多个初始刷新率；多个初始刷新率和多个初始温度区段一一对应；温度感测电路，温度感测电路被配置为基于感测的温度生成温度信号；控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为基于温度信号和配置映射表确定目标配置刷新率，将多个初始刷新率中的目标初始刷新率调整为目标配置刷新率；配置映射表包括多个配置温度区段和多个配置刷新率，多个配置温度区段和多个配置刷新率一一对应。
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公开(公告)号：CN115424655A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210975341.5
申请日：2022-08-15
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C29/50
Abstract: 本发明实施例提供一种ZQ校准方法、存储器及存储系统。其中，所述方法包括：获取为短ZQ校准配置的最大循环次数；所述最大循环次数用于表明所述短ZQ校准的校准范围；在接收到短ZQ校准命令后，对所述存储器的接口阻抗进行所述短ZQ校准，直到执行校准的循环次数达到所述最大循环次数和/或校准结果满足要求。
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