公开(公告)号：CN120032691A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202311574212.6

申请日：2023-11-22

Applicant: 长江存储科技有限责任公司

Inventor： 何旺 ,  梅笑冬 ,  张黄鹏 ,  魏德波

IPC: G11C16/04 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4094

Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器装置及其控制方法以及存储器系统，所述存储器装置包括：存储阵列以及与所述存储阵列耦合的外围电路，所述存储阵列包括多个存储行，每一个所述存储行包括耦合在一条字线上的多个存储单元；所述外围电路被配置为：响应于读取命令，判断刷新表中是否存在与所述读取命令对应的第一存储行的第一地址信息相同的地址信息；所述刷新表存储有多个地址信息，每一个地址信息对应所述多个存储行中的一个存储行；响应于所述刷新表中存在与所述第一地址信息相同的地址信息，将与所述第一地址信息相同的地址信息从所述刷新表中删除。

公开(公告)号：CN115424655A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210975341.5

申请日：2022-08-15

Applicant: 长江存储科技有限责任公司

Inventor： 魏德波 ,  张黄鹏 ,  张思敏 ,  何旺

IPC: G11C29/50

Abstract: 本发明实施例提供一种ZQ校准方法、存储器及存储系统。其中，所述方法包括：获取为短ZQ校准配置的最大循环次数；所述最大循环次数用于表明所述短ZQ校准的校准范围；在接收到短ZQ校准命令后，对所述存储器的接口阻抗进行所述短ZQ校准，直到执行校准的循环次数达到所述最大循环次数和/或校准结果满足要求。

公开(公告)号：CN115985369A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211338154.2

申请日：2022-10-28

Applicant: 长江存储科技有限责任公司

Inventor： 魏德波 ,  张黄鹏 ,  何旺 ,  王硕

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/30

Abstract: 本申请公开一种存储器的操作方法、存储器及存储系统。其中，所述存储器包括存储阵列和用于控制所述存储阵列的外围电路；所述操作方法包括：获得在第一场景下为所述外围电路定制的第一运行数据；所述第一场景不同于在初始化配置时为所述外围电路配置的默认场景；基于所述第一运行数据对所述外围电路进行配置，使所述存储器的性能满足在所述第一场景下的要求。