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公开(公告)号：CN120071994A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202311614274.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/08
Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统、计算机可读存储介质，本公开实施例提供的存储器装置，包括：第一缺陷地址信息存储器，被配置为存储多条初始缺陷地址信息；多条初始缺陷地址信息包括初始目标缺陷地址信息以及多条初始非目标缺陷地址信息；缺陷地址信息处理电路，与第一缺陷地址信息存储器连接，被配置为将初始目标缺陷地址信息和每一条初始非目标缺陷地址信息进行比较，并根据比较结果确定是否对初始非目标缺陷地址信息进行处理，并输出与多条初始缺陷地址信息对应的多条缺陷地址信息；以及第二缺陷地址信息存储器，与缺陷地址信息处理电路连接，被配置为存储多条缺陷地址信息。
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公开(公告)号：CN118284939A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280005035.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C29/00
Abstract: 一种在具有共同耦接的一个或多个焊盘的多个非易失性存储器管芯中的每一者中配置终端电阻电路的方法，包括：由每个非易失性存储器管芯确定该非易失性存储器管芯是操作的目标还是非目标；由非易失性存储器管芯中的确定其为目标的每个非易失性存储器管芯设置第一终端电阻配置值，由非易失性存储器管芯中的确定其为非目标的每个非易失性存储器管芯设置第二终端电阻配置值；由每个目标非易失性存储器管芯至少部分地基于第一终端电阻配置值来配置其对应的终端电阻电路以提供第一阻抗，并且与由每个目标非易失性存储器管芯进行配置同时地，由每个非目标非易失性存储器管芯至少部分地基于第二终端电阻配置值来配置其对应的终端电阻电路以提供第二阻抗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120032691A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311574212.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/04 , G11C11/408 , G11C11/4094
Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器装置及其控制方法以及存储器系统，所述存储器装置包括：存储阵列以及与所述存储阵列耦合的外围电路，所述存储阵列包括多个存储行，每一个所述存储行包括耦合在一条字线上的多个存储单元；所述外围电路被配置为：响应于读取命令，判断刷新表中是否存在与所述读取命令对应的第一存储行的第一地址信息相同的地址信息；所述刷新表存储有多个地址信息，每一个地址信息对应所述多个存储行中的一个存储行；响应于所述刷新表中存在与所述第一地址信息相同的地址信息，将与所述第一地址信息相同的地址信息从所述刷新表中删除。
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公开(公告)号：CN114631148A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202180006000.0
申请日：2021-08-31
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种存储装置的编程方法、存储装置及存储系统，所述存储装置包括多个平面；所述方法包括：使用以第一步增量增加的编程电压，对所述多个平面中的至少两个平面进行编程；对所述至少两个平面进行验证，确定所述至少两个平面中存在验证异常的平面时，禁用验证异常的平面；在所述至少两个平面中存在平面被禁用时，使用以第二步增量增加的编程电压，对未被禁用的所述平面进行编程；其中，所述第二步增量小于所述第一步增量。
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公开(公告)号：CN119479759A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311000894.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请实施例提供一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统。其中，该操作方法包括：在封装后修复PPR模式下，响应于所述多个存储单元行中的第一缺陷存储单元行在封装前已经被修复，使在封装前对所述第一缺陷存储单元行修复的第一修复策略失效；配置对所述第一缺陷存储单元行进行修复的第二修复策略，并存储所述第二修复策略。
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公开(公告)号：CN119541576A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311114181.6
申请日：2023-08-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/406
Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统和电子设备。该存储器包括存储单元阵列和耦接存储单元阵列的外围电路；外围电路包括：温度感测电路，温度感测电路被配置为：感测存储器的温度，基于感测的温度生成温度信号；控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为：基于温度信号和映射表确定目标刷新周期；其中，映射表包括多个预设温度信号和多个预设刷新周期，多个预设温度信号和多个预设刷新周期一一对应；刷新控制电路，刷新控制电路被配置为：将刷新信号的刷新周期调整为目标刷新周期；其中，刷新信号用于指示对存储单元阵列执行刷新操作。
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公开(公告)号：CN119559986A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311142821.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/06
Abstract: 本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统，所述存储器包括行锤控制电路，包括多个计数器，每个所述计数器用于对一个存储行的被访问次数进行计数，并生成第一计数值；调节电路，连接所述多个计数器；所述调节电路用于当多个所述第一计数值均达到目标阈值时，重置每个所述计数器，以将每个所述第一计数值调整同一偏移值，生成多个第二计数值；所述行锤控制电路还用于根据所述多个第二计数值确定目标存储行。
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