公开(公告)号：CN108765754A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810472429.9

申请日：2018-05-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 杨欣雨 ,  肖渝 ,  丁科宇 ,  胡彦迪 ,  熊中术 ,  何艾莲 ,  赵明坤

IPC: G07F17/00

CPC classification number: G07F17/0085

Abstract: 本发明请求保护一种24小时全自动小面售卖机及其操作方法，包括：主控系统和辅助系统。所述主控系统用于小面自动贩卖，所述辅助控制系统用于自动煮面。所述主控系统通过控制命令传输模块与辅助系统连接通信，包括第一电源管理模块、控制命令传输模块、集成控制模块、主菜单触摸屏、图像采集传输模块、音频采集传输模块及扬声器；所述辅助控制系统用于自动煮面，包括第二电源管理模块、热水供水模块、电磁炉控制模块、入面控制模块、调料盒控制模块、离心旋转模块、面食餐盒推送模块、系统异常保护模块。本发明大大提高了服务效率和质量。

公开(公告)号：CN111739939B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202010642151.2

申请日：2020-07-06

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  刘培培 ,  文剑豪 ,  周春宇 ,  魏进希 ,  宋琦 ,  王巍 ,  肖渝

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。

公开(公告)号：CN111739939A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010642151.2

申请日：2020-07-06

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  刘培培 ,  文剑豪 ,  周春宇 ,  魏进希 ,  宋琦 ,  王巍 ,  肖渝

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。