公开(公告)号：CN114335234A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210015492.6

申请日：2022-01-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  魏进希 ,  孔森林 ,  凌鹏 ,  向盈聪 ,  宋琦 ,  王巍

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在N型Si衬底上进行热氧化处理形成二氧化硅作为埋氧层；通过离子注入形成N+亚集电区和N‑集电区；通过氮化形成四氮化三硅牺牲保护层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速热退火操作以消除晶格损伤；在N‑集电区边缘通过离子注入形成N+区域连接N+亚集电区；在硅锗基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si包层上淀积N+多晶硅作为发射极；在集电区刻蚀Si并淀积Ge组分为20％的SiGe材料作为SiGe应力源。本发明中在集电区引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性。

公开(公告)号：CN111739939B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202010642151.2

申请日：2020-07-06

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  刘培培 ,  文剑豪 ,  周春宇 ,  魏进希 ,  宋琦 ,  王巍 ,  肖渝

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。

公开(公告)号：CN111739939A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010642151.2

申请日：2020-07-06

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  刘培培 ,  文剑豪 ,  周春宇 ,  魏进希 ,  宋琦 ,  王巍 ,  肖渝

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。