公开(公告)号：CN112992898A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110163596.7

申请日：2021-02-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  文剑豪 ,  宋琦 ,  周春宇 ,  黄渝最 ,  王艺 ,  余天 ,  于之超 ,  曾俊 ,  赵赛蕊

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种SiGe BiCMOS晶体管集成结构及其实现方法，属于电子技术领域。该晶体管包括[100]晶向的单晶P型Si衬底、N+BL埋层、P阱、N阱，PMOS器件源漏窗口、NMOS器件源漏窗口、双极型器件基极窗口、双极型器件集电区、PMOS器件源漏区域的SiGe材料和NMOS器件源漏区域。本发明中双极型器件部分在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性；在PMOS器件中的沟道即载流子输运方向施加单轴压应力，提高了载流子迁移率和器件频率特性；在NMOS器件中的沟道即载流子输运方向施加单轴拉应力，提升载流子迁移率和器件频率特性。