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公开(公告)号：CN115074745B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210463704.7
申请日：2022-04-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法，所述制备方法为恒流阳极氧化方法，电解液组成为氟化铵(NH4F)、硫酸(H2SO4)、水(H2O)，阳极氧化温度为15‑50℃，氧化电流为50‑200mA/cm2，时间1‑5分钟。采用此法制备的Ta2O5纳米管阵列薄膜生长效率高，纳米管直径在60‑150nm，长度在2‑20μm，薄膜表面完整无裂痕缺陷，顶端开口良好，并可自由转移。
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公开(公告)号：CN115074745A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210463704.7
申请日：2022-04-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法，所述制备方法为恒流阳极氧化方法，电解液组成为氟化铵(NH4F)、硫酸(H2SO4)、水(H2O)，阳极氧化温度为15‑50℃，氧化电流为50‑200mA/cm2，时间1‑5分钟。采用此法制备的Ta2O5纳米管阵列薄膜生长效率高，纳米管直径在60‑150nm，长度在2‑20μm，薄膜表面完整无裂痕缺陷，顶端开口良好，并可自由转移。
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公开(公告)号：CN113480310A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110800254.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及五氧化二钽陶瓷制备技术领域，具体公开了一种高致密度、高介电常数的五氧化二钽基陶瓷及其制备方法。本发明的五氧化二钽基陶瓷包含五氧化二钽基体和二氧化钛掺杂剂，以五氧化二钽陶瓷的总摩尔量为基准，所述掺杂剂含量为0.00‑0.11mol％。通过控制五氧化二钽基陶瓷的烧结参数和掺杂剂的含量，采用放电等离子体烧结，使得五氧化二钽陶瓷烧结温度低、升温速率快、烧结周期短、能耗低，所得的陶瓷致密度高(99.45％)，低温烧结陶瓷的完整性好，基本无开裂现象，且具有良好的介电性能，即高的介电常数(246.70)和极低的介电损耗(0.0024)。
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公开(公告)号：CN102000702A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010599296.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯钽溅射靶材的加工工艺，将锻造开坯后的钽溅射靶材圆坯进行轧制处理，其特征在于，在轧制过程中每轧制一道次将轧制方向旋转135°后进行轧制，且道次压下量的弧厚比控制在2～3。总轧制道次需与弧厚比及总的形变量配合，总形变量为90％。采用本发明提供的加工工艺，通过调整工艺参数，可将溅射面的晶粒尺寸控制在100±20μm，γ织构的含量可以控制在30-60％，随机织构含量可以控制在30-60％。溅射面心、中、边晶粒尺寸及织构分布皆可以达到以上标准，沿厚度方向晶粒尺寸可以控制在100±15μm。以上晶粒尺寸及织构分布可以完全满足工业生产需求，加工工艺简单，控制手段可靠有效。
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公开(公告)号：CN116879329A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310869557.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/20
Abstract: 本发明提供一种Mg‑Li双相合金EBSD样品的制备方法，结合氩离子束抛光技术对Mg‑Li双相合金材料表面的污染、划痕以及应变层进行去除，具体为第一步采用大电压、大电流和小角度进行粗抛光，第二步采用小电压、小电流和小角度进行精抛光，通过低角度抛光降低氩离子束作用深度、结合低温环境降低氩离子束抛光引起的温升，以此来减低样品表面损伤，从而获得Mg‑Li双相合金中β‑Li相的有效解析，综合解析率高达97％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108465700A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810205349.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种获得均匀组织和织构的溅射靶材用钽板轧制方法，按以下步骤进行：对钽板采用多道次异步轧制，每道次完成后，将钽板相对于其进给方向水平旋转90°，并将钽板的两个轧制面互换，整个轧制过程中钽板的水平旋转方向一致。通过异步轧制，结合每道次旋转90°，且每道次互换轧制面的方式对钽板进行塑性变形，制备出的高纯钽溅射靶材的组织、织构分布更为均匀，维氏硬度较高且平均，结合退火处理将得到均匀分布的晶粒，这样的钽板可应用于电子器件、半导体等溅射膜领域。
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公开(公告)号：CN105441846A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610042110.3
申请日：2016-01-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种靶材用高纯钽板的热处理方法，将钽板靶坯进行塑性变形后，将其于800℃～900℃条件下恒温热处理60min～90min，取出进行第一次淬火；再于1200℃～1300℃条件下恒温热处理60min～90min，取出进行第二次淬火，得到高纯钽板靶材成品。采用本发明的方法，通过对钽板靶坯进行低温退火、第一次淬火、高温退火和第二次淬火，能细化靶材的晶粒，优化组织，因而能获得性能符合要求和质量稳定的高纯钽板溅射靶材。
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公开(公告)号：CN112877629A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110048744.0
申请日：2021-01-14
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种提高厚靶材用钽板微观组织均匀性的加工方法，首先对电子束熔炼法制备的钽锭进行锻造开坯，以破碎初始钽锭中粗大的柱状晶组织，经过切片，初次退火热处理工序来获得后续轧制用钽板坯料；再将钽板坯料放置于高温炉内保温，之后进行同步轧制，每道次旋转135°；最后将轧制后的钽板坯料放置于管式炉中再次退火，以获得完全再结晶组织，得钽板靶材。采用本发明的显著效果是成品完全再结晶退火后其平均尺寸较为细小，且不同取向晶粒的平均尺寸差异也较小，织构含量差异也较小，随机取向晶粒含量较高；且钽板靶材的总变形量更小，可生产更厚的钽靶。
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公开(公告)号：CN112858362A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110023510.0
申请日：2021-01-08
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202 , G01N1/32
Abstract: 本发明公开了一种用于电镜观察的微米级球形颗粒截面的制备方法，包括如下步骤：(1)将导电胶带粘贴于导电金属基体上；(2)取微米级球形颗粒粉末平铺粘在导电胶带上，并吹走多余粉末；(3)将粘有粉末的导电金属基体置于离子束抛光机内进行抛光，采用平面抛光模式，抛光角度为0～2°，抛光电压和时间为5～8kV 5～40min+3～5kV 5～20min+0.5～2kV 5～20min，即可获得满足扫描电镜观察的颗粒截面。本发明不需要包埋处理，不用消耗额外的制样耗材；时间短，成本低，操作性强；耗时仅为截面抛光模式的十分之一，抛光效率高；获得的样品有效面积大，用于扫描电镜观察的可选择区域多。
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公开(公告)号：CN102000702B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010599296.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯钽溅射靶材的加工工艺，将锻造开坯后的钽溅射靶材圆坯进行轧制处理，其特征在于，在轧制过程中每轧制一道次将轧制方向旋转135°后进行轧制，且道次压下量的弧厚比控制在2～3。总轧制道次需与弧厚比及总的形变量配合，总形变量为90％。采用本发明提供的加工工艺，通过调整工艺参数，可将溅射面的晶粒尺寸控制在100±20μm，γ织构的含量可以控制在30-60％，随机织构含量可以控制在30-60％。溅射面心、中、边晶粒尺寸及织构分布皆可以达到以上标准，沿厚度方向晶粒尺寸可以控制在100±15μm。以上晶粒尺寸及织构分布可以完全满足工业生产需求，加工工艺简单，控制手段可靠有效。
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