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公开(公告)号：CN102000702A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010599296.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯钽溅射靶材的加工工艺，将锻造开坯后的钽溅射靶材圆坯进行轧制处理，其特征在于，在轧制过程中每轧制一道次将轧制方向旋转135°后进行轧制，且道次压下量的弧厚比控制在2～3。总轧制道次需与弧厚比及总的形变量配合，总形变量为90％。采用本发明提供的加工工艺，通过调整工艺参数，可将溅射面的晶粒尺寸控制在100±20μm，γ织构的含量可以控制在30-60％，随机织构含量可以控制在30-60％。溅射面心、中、边晶粒尺寸及织构分布皆可以达到以上标准，沿厚度方向晶粒尺寸可以控制在100±15μm。以上晶粒尺寸及织构分布可以完全满足工业生产需求，加工工艺简单，控制手段可靠有效。
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公开(公告)号：CN112877629A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110048744.0
申请日：2021-01-14
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种提高厚靶材用钽板微观组织均匀性的加工方法，首先对电子束熔炼法制备的钽锭进行锻造开坯，以破碎初始钽锭中粗大的柱状晶组织，经过切片，初次退火热处理工序来获得后续轧制用钽板坯料；再将钽板坯料放置于高温炉内保温，之后进行同步轧制，每道次旋转135°；最后将轧制后的钽板坯料放置于管式炉中再次退火，以获得完全再结晶组织，得钽板靶材。采用本发明的显著效果是成品完全再结晶退火后其平均尺寸较为细小，且不同取向晶粒的平均尺寸差异也较小，织构含量差异也较小，随机取向晶粒含量较高；且钽板靶材的总变形量更小，可生产更厚的钽靶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102000702B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010599296.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯钽溅射靶材的加工工艺，将锻造开坯后的钽溅射靶材圆坯进行轧制处理，其特征在于，在轧制过程中每轧制一道次将轧制方向旋转135°后进行轧制，且道次压下量的弧厚比控制在2～3。总轧制道次需与弧厚比及总的形变量配合，总形变量为90％。采用本发明提供的加工工艺，通过调整工艺参数，可将溅射面的晶粒尺寸控制在100±20μm，γ织构的含量可以控制在30-60％，随机织构含量可以控制在30-60％。溅射面心、中、边晶粒尺寸及织构分布皆可以达到以上标准，沿厚度方向晶粒尺寸可以控制在100±15μm。以上晶粒尺寸及织构分布可以完全满足工业生产需求，加工工艺简单，控制手段可靠有效。
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公开(公告)号：CN108465700A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810205349.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种获得均匀组织和织构的溅射靶材用钽板轧制方法，按以下步骤进行：对钽板采用多道次异步轧制，每道次完成后，将钽板相对于其进给方向水平旋转90°，并将钽板的两个轧制面互换，整个轧制过程中钽板的水平旋转方向一致。通过异步轧制，结合每道次旋转90°，且每道次互换轧制面的方式对钽板进行塑性变形，制备出的高纯钽溅射靶材的组织、织构分布更为均匀，维氏硬度较高且平均，结合退火处理将得到均匀分布的晶粒，这样的钽板可应用于电子器件、半导体等溅射膜领域。
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公开(公告)号：CN105441846A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610042110.3
申请日：2016-01-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种靶材用高纯钽板的热处理方法，将钽板靶坯进行塑性变形后，将其于800℃～900℃条件下恒温热处理60min～90min，取出进行第一次淬火；再于1200℃～1300℃条件下恒温热处理60min～90min，取出进行第二次淬火，得到高纯钽板靶材成品。采用本发明的方法，通过对钽板靶坯进行低温退火、第一次淬火、高温退火和第二次淬火，能细化靶材的晶粒，优化组织，因而能获得性能符合要求和质量稳定的高纯钽板溅射靶材。
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公开(公告)号：CN108465700B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810205349.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种获得均匀组织和织构的溅射靶材用钽板轧制方法，按以下步骤进行：对钽板采用多道次异步轧制，每道次完成后，将钽板相对于其进给方向水平旋转90°，并将钽板的两个轧制面互换，整个轧制过程中钽板的水平旋转方向一致。通过异步轧制，结合每道次旋转90°，且每道次互换轧制面的方式对钽板进行塑性变形，制备出的高纯钽溅射靶材的组织、织构分布更为均匀，维氏硬度较高且平均，结合退火处理将得到均匀分布的晶粒，这样的钽板可应用于电子器件、半导体等溅射膜领域。
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公开(公告)号：CN105441846B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610042110.3
申请日：2016-01-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种靶材用高纯钽板的热处理方法，将钽板靶坯进行塑性变形后，将其于800℃～900℃条件下恒温热处理60min～90min，取出进行第一次淬火；再于1200℃～1300℃条件下恒温热处理60min～90min，取出进行第二次淬火，得到高纯钽板靶材成品。采用本发明的方法，通过对钽板靶坯进行低温退火、第一次淬火、高温退火和第二次淬火，能细化靶材的晶粒，优化组织，因而能获得性能符合要求和质量稳定的高纯钽板溅射靶材。
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