公开(公告)号：CN115074745A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210463704.7

申请日：2022-04-16

Applicant: 重庆大学

Inventor： 邓超 ,  谭浩䶮 ,  张玮辰 ,  沈泉风 ,  文婷婷 ,  刘施峰

IPC: C25B1/01 ,  C25B1/50 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法，所述制备方法为恒流阳极氧化方法，电解液组成为氟化铵(NH4F)、硫酸(H2SO4)、水(H2O)，阳极氧化温度为15‑50℃，氧化电流为50‑200mA/cm2，时间1‑5分钟。采用此法制备的Ta2O5纳米管阵列薄膜生长效率高，纳米管直径在60‑150nm，长度在2‑20μm，薄膜表面完整无裂痕缺陷，顶端开口良好，并可自由转移。

公开(公告)号：CN115074745B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202210463704.7

申请日：2022-04-16

Applicant: 重庆大学

Inventor： 邓超 ,  谭浩䶮 ,  张玮辰 ,  沈泉风 ,  文婷婷 ,  刘施峰

IPC: C25B1/01 ,  C25B1/50 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法，所述制备方法为恒流阳极氧化方法，电解液组成为氟化铵(NH4F)、硫酸(H2SO4)、水(H2O)，阳极氧化温度为15‑50℃，氧化电流为50‑200mA/cm2，时间1‑5分钟。采用此法制备的Ta2O5纳米管阵列薄膜生长效率高，纳米管直径在60‑150nm，长度在2‑20μm，薄膜表面完整无裂痕缺陷，顶端开口良好，并可自由转移。