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公开(公告)号：CN105989876B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201510046032.X
申请日：2015-01-29
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种电阻式存储器系统、其驱动电路及其阻抗设置方法。电阻式存储器系统，包括一存储器阵列、一列选择电路、一第一控制电路及一第二控制电路。存储器阵列具有多个电阻式存储器单元。列选择电路用以开启这些电阻式存储器单元。第一控制电路及第二控制电路耦接至这些电阻式存储器单元。当各个电阻式存储器单元进行设置时，第一控制电路及第二控制电路分别提供一设置电压及一接地电压至各个电阻式存储器单元，以形成一设置电流，并且设置电流透过第一控制电路及第二控制电路的至少其中之一进行限流。
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公开(公告)号：CN103904136B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201310516070.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L23/481 , H01L27/0808 , H01L29/93 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种变容器。一基底具有第一表面与第二表面以及位于上述基底的第一开口以及第二开口。一导电材料填充于上述第一与第二开口，以分别形成一第一晶圆穿孔以及一第二晶圆穿孔。一第一电容耦接于上述第一晶圆穿孔以及一第一端点之间。一第二电容耦接于上述第二晶圆穿孔以及一第二端点之间。上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔之间的一空乏区电容的电容值是由施加于上述第一以及第二晶圆穿孔的一偏压电压所决定。
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公开(公告)号：CN103904064A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310172891.4
申请日：2013-05-10
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L2225/06544 , H01L2225/06596 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种硅穿孔修补电路。硅穿孔修补电路包括：第一及第二传输控制开关以及至少两个传输路径模块。第一及第二传输控制开关依据切换信号或反相切换信号以决定导引第一芯片或第二芯片的输入信号到各个传输路径模块的两端的其中一个。每个传输路径模块包括至少两个数据路径电路及对应的硅穿孔。各个数据路径电路包括：输入驱动电路、短路检测电路以及漏电流消除电路。短路检测电路检测硅穿孔是否与硅基板发生短路，并产生短路检测输出信号。漏电流消除电路依据短路检测输出信号以避免由第一电平电压所产生的漏电流流入硅基板。
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公开(公告)号：CN106505838A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510790745.7
申请日：2015-11-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/327 , H03K17/0822 , H03K17/18 , H05B33/0818 , H05B33/089
Abstract: 本发明提出驱动电源产生电路以及驱动电源的产生方法用以产生驱动电源来驱动负载。驱动电源产生电路包括信号产生电路、电源转换电路以及取样控制电路。信号产生电路用以依据回授信号以及锁止信号来输出控制信号。电源转换电路电性连接至信号产生电路。电源转换电路用以依据控制信号来产生驱动电源，以驱动负载。取样控制电路电性连接至信号产生电路。取样控制电路用以对控制信号进行取样，并且依据取样结果来输出锁止信号。
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公开(公告)号：CN103904136A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310516070.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L23/481 , H01L27/0808 , H01L29/93 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种变容器。一基底具有第一表面与第二表面以及位于上述基底的第一开口以及第二开口。一导电材料填充于上述第一与第二开口，以分别形成一第一晶圆穿孔以及一第二晶圆穿孔。一第一电容耦接于上述第一晶圆穿孔以及一第一端点之间。一第二电容耦接于上述第二晶圆穿孔以及一第二端点之间。上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔之间的一空乏区电容的电容值是由施加于上述第一以及第二晶圆穿孔的一偏压电压所决定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106304536A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510444781.8
申请日：2015-07-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种可调色温的发光装置及其色温调整方法，该发光装置包括发光源、控制器以及检测器。发光源用于提供照明光源。控制器耦接至发光源。控制器用于依据全域色温及区域色温两者至少其中之一来调整照明光源的色温。检测器耦接至控制器。检测器用于检测可调色温的发光装置的所在位置的色温，以提供区域色温给控制器。控制器对全域色温及区域色温进行权重运算，以取得运算结果来调整照明光源的色温。
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公开(公告)号：CN105989876A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510046032.X
申请日：2015-01-29
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C2013/0078
Abstract: 一种电阻式存储器系统、其驱动电路及其阻抗设置方法。电阻式存储器系统，包括一存储器阵列、一列选择电路、一第一控制电路及一第二控制电路。存储器阵列具有多个电阻式存储器单元。列选择电路用以开启这些电阻式存储器单元。第一控制电路及第二控制电路耦接至这些电阻式存储器单元。当各个电阻式存储器单元进行设置时，第一控制电路及第二控制电路分别提供一设置电压及一接地电压至各个电阻式存储器单元，以形成一设置电流，并且设置电流透过第一控制电路及第二控制电路的至少其中之一进行限流。
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公开(公告)号：CN103915419A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310469842.7
申请日：2013-10-10
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H02H3/20 , H01L25/0657 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H03K19/018521 , H01L2924/00 , H01L2924/00011
Abstract: 一种半导体装置的硅穿孔双向修补电路。硅穿孔双向修补电路包括：第一及第二双向开关以及至少两个传输路径模块。第一及第二双向开关依据切换信号或反相切换信号以决定导引第一芯片或第二芯片的输入信号到各个传输路径模块的两端的其中一个。每个传输路径模块包括至少两个数据路径电路及对应的硅穿孔。各个数据路径电路包括：输入驱动电路、短路侦测电路以及漏电流消除电路。短路侦测电路侦测直通硅晶穿孔是否与硅基板发生短路，并产生短路侦测输出信号。漏电流消除电路依据短路侦测输出信号以避免由第一准位电压所产生的漏电流流入硅基板。
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公开(公告)号：CN106505838B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510790745.7
申请日：2015-11-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明提出驱动电源产生电路以及驱动电源的产生方法用以产生驱动电源来驱动负载。驱动电源产生电路包括信号产生电路、电源转换电路以及取样控制电路。信号产生电路用以依据回授信号以及锁止信号来输出控制信号。电源转换电路电性连接至信号产生电路。电源转换电路用以依据控制信号来产生驱动电源，以驱动负载。取样控制电路电性连接至信号产生电路。取样控制电路用以对控制信号进行取样，并且依据取样结果来输出锁止信号。
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公开(公告)号：CN103915419B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201310469842.7
申请日：2013-10-10
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H02H3/20 , H01L25/0657 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H03K19/018521 , H01L2924/00 , H01L2924/00011
Abstract: 一种半导体装置的硅穿孔双向修补电路。硅穿孔双向修补电路包括：第一及第二双向开关以及至少两个传输路径模块。第一及第二双向开关依据切换信号或反相切换信号以决定导引第一芯片或第二芯片的输入信号到各个传输路径模块的两端的其中一个。每个传输路径模块包括至少两个数据路径电路及对应的硅穿孔。各个数据路径电路包括：输入驱动电路、短路侦测电路以及漏电流消除电路。短路侦测电路侦测直通硅晶穿孔是否与硅基板发生短路，并产生短路侦测输出信号。漏电流消除电路依据短路侦测输出信号以避免由第一准位电压所产生的漏电流流入硅基板。
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