公开(公告)号：CN103904136A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310516070.8

申请日：2013-10-28

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 李思翰 ,  曾珮玲 ,  林哲辉 ,  林志昇

IPC: H01L29/92

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种变容器。一基底具有第一表面与第二表面以及位于上述基底的第一开口以及第二开口。一导电材料填充于上述第一与第二开口，以分别形成一第一晶圆穿孔以及一第二晶圆穿孔。一第一电容耦接于上述第一晶圆穿孔以及一第一端点之间。一第二电容耦接于上述第二晶圆穿孔以及一第二端点之间。上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔之间的一空乏区电容的电容值是由施加于上述第一以及第二晶圆穿孔的一偏压电压所决定。

公开(公告)号：CN103904136B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201310516070.8

申请日：2013-10-28

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 李思翰 ,  曾珮玲 ,  林哲辉 ,  林志昇

IPC: H01L29/92

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种变容器。一基底具有第一表面与第二表面以及位于上述基底的第一开口以及第二开口。一导电材料填充于上述第一与第二开口，以分别形成一第一晶圆穿孔以及一第二晶圆穿孔。一第一电容耦接于上述第一晶圆穿孔以及一第一端点之间。一第二电容耦接于上述第二晶圆穿孔以及一第二端点之间。上述第一晶圆穿孔以及上述第二晶圆穿孔之间的一空乏区电容的电容值是由施加于上述第一以及第二晶圆穿孔的一偏压电压所决定。

公开(公告)号：CN104282334A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410307751.8

申请日：2014-06-30

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 庄净皓 ,  张孟凡 ,  许世玄 ,  林哲辉

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种内存储存电路及驱动内存储存电路的方法，该内存储存电路包括挥发性内存单元、控制单元以及非挥发性内存单元。该挥发性内存单元包括第一节点与第二节点以储存一对互补性逻辑数据。该控制单元包括第一晶体管与第二晶体管，该第一与第二晶体管的栅极电极耦接以接收储存信号，且该第一与第二晶体管的第一电极耦接以接收控制信号。该非挥发性内存单元包括第一电阻式内存组件与第二电阻式内存组件以储存该对互补性逻辑数据，该第一电阻式内存组件耦接于该第一晶体管的第二电极与该第一节点之间，且该第二电阻式内存组件耦接于该第二晶体管的第二电极与该第二节点之间。