公开(公告)号：CN105989876B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510046032.X

申请日：2015-01-29

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 曾珮玲 ,  郭家辰 ,  许世玄 ,  张孟凡

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种电阻式存储器系统、其驱动电路及其阻抗设置方法。电阻式存储器系统，包括一存储器阵列、一列选择电路、一第一控制电路及一第二控制电路。存储器阵列具有多个电阻式存储器单元。列选择电路用以开启这些电阻式存储器单元。第一控制电路及第二控制电路耦接至这些电阻式存储器单元。当各个电阻式存储器单元进行设置时，第一控制电路及第二控制电路分别提供一设置电压及一接地电压至各个电阻式存储器单元，以形成一设置电流，并且设置电流透过第一控制电路及第二控制电路的至少其中之一进行限流。

公开(公告)号：CN104282334A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410307751.8

申请日：2014-06-30

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 庄净皓 ,  张孟凡 ,  许世玄 ,  林哲辉

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种内存储存电路及驱动内存储存电路的方法，该内存储存电路包括挥发性内存单元、控制单元以及非挥发性内存单元。该挥发性内存单元包括第一节点与第二节点以储存一对互补性逻辑数据。该控制单元包括第一晶体管与第二晶体管，该第一与第二晶体管的栅极电极耦接以接收储存信号，且该第一与第二晶体管的第一电极耦接以接收控制信号。该非挥发性内存单元包括第一电阻式内存组件与第二电阻式内存组件以储存该对互补性逻辑数据，该第一电阻式内存组件耦接于该第一晶体管的第二电极与该第一节点之间，且该第二电阻式内存组件耦接于该第二晶体管的第二电极与该第二节点之间。

公开(公告)号：CN105989876A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510046032.X

申请日：2015-01-29

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 曾珮玲 ,  郭家辰 ,  许世玄 ,  张孟凡

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0038 ,  G11C2013/0078

Abstract: 一种电阻式存储器系统、其驱动电路及其阻抗设置方法。电阻式存储器系统，包括一存储器阵列、一列选择电路、一第一控制电路及一第二控制电路。存储器阵列具有多个电阻式存储器单元。列选择电路用以开启这些电阻式存储器单元。第一控制电路及第二控制电路耦接至这些电阻式存储器单元。当各个电阻式存储器单元进行设置时，第一控制电路及第二控制电路分别提供一设置电压及一接地电压至各个电阻式存储器单元，以形成一设置电流，并且设置电流透过第一控制电路及第二控制电路的至少其中之一进行限流。