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公开(公告)号：CN105989876A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510046032.X
申请日：2015-01-29
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C2013/0078
Abstract: 一种电阻式存储器系统、其驱动电路及其阻抗设置方法。电阻式存储器系统，包括一存储器阵列、一列选择电路、一第一控制电路及一第二控制电路。存储器阵列具有多个电阻式存储器单元。列选择电路用以开启这些电阻式存储器单元。第一控制电路及第二控制电路耦接至这些电阻式存储器单元。当各个电阻式存储器单元进行设置时，第一控制电路及第二控制电路分别提供一设置电压及一接地电压至各个电阻式存储器单元，以形成一设置电流，并且设置电流透过第一控制电路及第二控制电路的至少其中之一进行限流。
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公开(公告)号：CN103093810A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310013602.6
申请日：2013-01-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: G11C7/1072 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0047 , G11C2013/0054 , G11C2013/0076
Abstract: 一种电阻式存储器装置，包括存储器阵列、读取电路、写回逻辑电路以及写回电路。读取电路读取一被选择的存储器单元内所存储的数据，并产生第一控制信号。写回逻辑电路根据第一控制信号与第二控制信号产生写回控制信号。写回电路根据写回控制信号以及一写回电压对被选择的存储器单元执行写回操作，使得被选择的存储器单元的一电阻状态由一低电阻状态转换为一高电阻状态，并且根据被选择的存储器单元的电阻状态产生第二控制信号。
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公开(公告)号：CN101814323A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910007575.5
申请日：2009-02-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/0076
Abstract: 一种验证电路，适用于一相位变化存储器阵列。验证电路包括一感测单元、一比较器、一控制单元、一运算单元及一调整单元。感测单元根据一使能信号从相位变化存储器阵列的一存储单元感测出一感测电压。比较器根据感测电压以及一参考电压而产生一比较信号，以便指示存储单元是否为重置状态。控制单元根据使能信号而产生一控制信号。运算单元根据控制信号而产生一第一信号，以便指示比较器是否运作。调整单元提供一写入电流至存储单元，并根据控制信号调整写入电流的大小直到比较信号指示存储单元为重置状态。
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公开(公告)号：CN101414480A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710162589.5
申请日：2007-10-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元控制技术，以令彼此间具有工艺误差的多个相变存储单元在设定模式下具有相同的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477006C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610066760.8
申请日：2006-04-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C13/00 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C2213/79
Abstract: 本发明介绍了一种存储器阵列，其包括多个可编程存储器单元、多条行线和多条列线。每一个上述可编程存储器单元连接到上述行线中的对应的行线和上述列线中的对应的列线。每一个上述可编程存储器单元包括有机存储器单元和主动开关元件。上述主动开关元件受上述列线控制且介于上述行线与上述有机存储器单元之间。在上述列线的控制下，上述主动开关元件将选择性地导通以使行线与上述有机存储器单元彼此连接。
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公开(公告)号：CN101290798A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710100841.X
申请日：2007-04-20
Applicant: 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种补偿电路，适用在串联式操作组件，包括写入驱动电路、距离检测电路、操作组件以及辅助驱动电路。该写入驱动电路，提供写入电流至写入路径(writing path)。该距离检测电路，耦接该写入路径，检测该写入电流流经的路径长度，并输出控制信号。该操作组件，耦接该写入路径。该辅助驱动电路，根据该控制信号，用以提供辅助电流至该写入路径。
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公开(公告)号：CN115145534A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110453026.1
申请日：2021-04-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 一种低精度神经网络的数据特征扩增系统及方法。数据特征扩增系统包括第一时间差分单元。第一时间差分单元包括第一取样保持电路以及减法器。第一取样保持电路用以接收输入信号，并根据输入信号获得第一信号。第一信号与第一取样保持电路的第一漏电速率相关。第一信号与输入信号相差一个时间单位。减法器用以将输入信号与第一信号相减以获得一时间差分信号。输入信号及时间差分信号被输入至低精度神经网络。
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公开(公告)号：CN100524519C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510135697.4
申请日：2005-12-31
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种有机存储器，此有机存储器至少包括有多条选择线、多条数据线、位单元阵列、以及多个数字感测电路等。位单元阵列包括多个位单元，而每一个位单元包括有机存储单元以及开关元件。每一个数字感测电路包括电流至电压转换器以及感测区块电路。上述构件组成完整的有机存储器集成电路的数字感测机制，故可为一种批量生产且实用可行的存储器元件。
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公开(公告)号：CN101452743A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710197139.X
申请日：2007-12-05
Applicant: 财团法人工业技术研究院 , 力晶半导体股份有限公司 , 南亚科技股份有限公司 , 茂德科技股份有限公司 , 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明的一实施例为一种相变存储器的写入系统，包括一第一写入电路、一验证电路、一第一相变存储单元与一第二相变存储单元。该第一写入电路，执行一写入程序，接收一第一数据并写入至该第一相变存储单元。该验证电路，执行一验证程序，包括一处理单元以及一第二写入电路。该处理单元，读取并比较该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据。该第二写入电路，当该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据并不符合时，将该第二数据再次写入该第二相变存储单元。
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