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公开(公告)号：CN111640767A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010111502.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种具有自对准盖的倒装芯片样本成像设备包括图像传感器芯片、扇出基板和盖子。图像传感器芯片包括(a)对入射在图像传感器芯片的第一侧上的光敏感的像素阵列，以及(b)布置在第一侧上并且电连接到像素阵列的第一电触点。扇出基板布置在第一侧上、电连接到第一电触点、在像素阵列上方形成孔以部分地限定像素阵列上方的腔室、并且形成背离第一侧的第一表面。盖子布置在扇出基板的背离第一侧的第一表面上，以进一步限定腔室。盖子包括突出到孔中的内部部分，以使盖子相对于扇出基板对准。
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公开(公告)号：CN109960087A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811529624.7
申请日：2018-12-14
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供一种硅基液晶(LCOS)面板及制造其的工艺。硅基液晶面板包括：硅衬底，具有位于所述硅衬底内的硅电路；多个金属电极，设置在所述硅衬底上，其中所述多个金属电极周期性地形成在所述硅衬底上；介电材料，设置在所述多个金属电极中的相邻的金属电极之间的间隙中并填充所述间隙；以及氧化物层，设置在所述多个金属电极以及位于所述多个金属电极中的相邻的金属电极之间的所述间隙中的所述介电材料上；其中所述介电材料的折射率高于所述氧化物层的折射率。本发明提供的硅基液晶面板可具有小的衍射。
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公开(公告)号：CN106449673B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610630745.5
申请日：2016-08-04
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种具有半岛式接地点的互补金属氧化物半导体图像传感器，其包括(a)具有排列成像素单元列的多个像素单元的基板与(b)用于将所述像素单元接地的多个接地点，其中所述接地点分别形成于相对应的所述像素单元内的所述基板的各半岛区域中，且其中所述半岛区域的每个由浅沟槽隔离而仅部分地封闭且所述半岛区域具有沿着所述像素单元的每列交替变换的方向。
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公开(公告)号：CN103681718B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310439203.6
申请日：2013-09-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G01J1/42
Abstract: 一种单片式背面照射图像传感器，具有传感器阵列，传感器阵列具有多像素单元，其中多像素单元包括主要用于感测红光的第一像素传感器、主要用于感测红光及绿光的第二像素传感器、以及具有全色感光度的第三像素传感器，并且所述多个像素传感器横向地相互邻近。图像传感器确定红光信号、绿光信号及蓝光信号的方法包括读取各个多像素单元的红光感测像素传感器，以确定红光信号；读取主要用于感测红光与绿光的传感器以确定黄光信号，以及减去红光信号以确定绿光信号。图像传感器读取全色感测的像素传感器以确定白光信号，以及减去黄光信号以确定蓝光信号。
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公开(公告)号：CN106449673A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610630745.5
申请日：2016-08-04
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L27/14601
Abstract: 一种具有半岛式接地点的互补金属氧化物半导体图像传感器，其包括(a)具有排列成像素单元列的多个像素单元的基板与(b)用于将所述像素单元接地的多个接地点，其中所述接地点分别形成于相对应的所述像素单元内的所述基板的各半岛区域中，且其中所述半岛区域的每个由浅沟槽隔离而仅部分地封闭且所述半岛区域具有沿着所述像素单元的每列交替变换的方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102376732B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110261316.2
申请日：2011-08-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638
Abstract: 本发明涉及具有应力膜的背侧照明图像传感器。一种背侧照明(“BSI”)互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器包括安置于半导体层内的感光区及应力调节层。该感光区对入射于该BSI？CMOS图像传感器的背侧上的光敏感以便收集图像电荷。该应力调节层安置于该半导体层的背侧上以建立促进光生电荷载流子朝该感光区迁移的应力特性。
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公开(公告)号：CN101978498B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200880126436.8
申请日：2008-12-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种像素阵列，其是使用基板形成的，该基板具有前侧及用于接收入射光的背侧。各个像素通常包含金属化层、感光区域及沟槽，这种金属化层被包含在该基板的前侧中，该感光区域是形成于该基板的后侧中，该沟槽围绕该基板的后侧中的感光区域而形成。该沟槽造成入射光被导引远离该沟槽并朝向该感光区域。
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公开(公告)号：CN102017148B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200880126427.9
申请日：2008-12-24
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供一种背面受光成像传感器，其包含半导体层、金属互连层及硅化物光反射层。半导体层具有正面及背面。包含光电二极管区域的成像像素形成在半导体层内。金属互连层被电耦合至光电二极管区域，且硅化物光反射层被耦合在金属互连层与半导体层的正面之间。操作中，光电二极管区域接收来自半导体层的背面的光，其中所接收光的一部分透过光电二极管区域传播至硅化物光反射层。该硅化物光反射层是经配置以反射来自光电二极管区域的所接收光部分。
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公开(公告)号：CN102177586A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980140364.7
申请日：2009-08-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明公开一种彩色像素阵列，其包含第一(300A)、第(300B)与第三(300C)多个彩色像素，各彩色像素包含置于第一半导体层内的光敏区域(330)。在一项实施例中，将包含深掺杂区域(320)的第二半导体层(315)置于该第一半导体层下方。该深掺杂区域均驻存于第一多个彩色像素的一对应像素的下方，但不在该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素下方。在一项实施例中，将掩埋阱置于该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素之下，但不在该第一多个彩色像素下方。
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公开(公告)号：CN102164250A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110046568.3
申请日：2011-02-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/367
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/1461 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开一种能够进行黑电平校准的成像系统，该成像系统包括成像像素阵列、至少一个黑基准像素以及周边电路。该成像像素阵列包括各自经耦合以捕获图像数据的多个有效像素。该黑基准像素经耦合以产生用于校准该图像数据的黑基准信号。光透射层设置于包括该成像系统的像素阵列管芯的第一面上，且覆盖至少该成像像素阵列和黑基准像素。光屏蔽层设置于该像素阵列管芯的该第一面上，且覆盖光透射层的一部分和该黑基准像素而不覆盖该成像像素阵列。
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