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公开(公告)号:CN101939841B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200980104585.9
申请日:2009-02-02
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像传感器像素(400),其包括:光电二极管(420)区域;及像素电路(430)。该光电二极管区域被布置在半导体管芯中,用于响应于入射在该BSI成像传感器像素的背侧上的光而累积图像电荷。该像素电路包含晶体管像素电路,该像素电路是布置在该半导体管芯的前侧与该光电二极管区域之间的该半导体管芯中。该像素电路的至少一部分与该光电二极管区域重迭。
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公开(公告)号:CN101868968A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN200880116692.9
申请日:2008-11-05
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/235
CPC classification number: H04N5/14 , H01L31/1105 , H04N5/144 , H04N5/235 , H04N5/2357 , H04N5/3765
Abstract: 一种用于测量光源的电源频率的装置包括:光敏晶体管、调制器及逻辑单元。该光敏晶体管产生响应于来自该光源的入射于其上的光的电信号。该调制器基于该电信号产生调制信号,该调制信号以与该光源的电源频率实质上成比例的速率切换。该逻辑单元被耦合用以接收该调制信号,并确定其切换频率。
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公开(公告)号:CN101978498B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN200880126436.8
申请日:2008-12-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种像素阵列,其是使用基板形成的,该基板具有前侧及用于接收入射光的背侧。各个像素通常包含金属化层、感光区域及沟槽,这种金属化层被包含在该基板的前侧中,该感光区域是形成于该基板的后侧中,该沟槽围绕该基板的后侧中的感光区域而形成。该沟槽造成入射光被导引远离该沟槽并朝向该感光区域。
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公开(公告)号:CN101877769B
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201010169638.X
申请日:2010-04-30
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor: 真锅宗平
IPC: H04N5/353 , H04N5/357 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/353 , H01L27/14609 , H04N5/357 , H04N5/37452
Abstract: 一种具有全域快门的图像传感器。图像传感器包括:一光电二极管,其用以积聚一图像电荷;及一储存晶体管,其用以储存该图像电荷。一转移晶体管耦合于该光电二极管与该储存晶体管之一输入之间,以选择性地将该图像电荷自该光电二极管转移至该储存晶体管。一输出晶体管耦合至该储存晶体管之一输出以选择性地将该图像电荷转移至一读出节点,且一重设晶体管耦合至该读出节点。一控制器被配置为在激活该储存晶体管之一栅极以储存该图像电荷之前将一负电压施加至该储存晶体管之该栅极。
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公开(公告)号:CN101978498A
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200880126436.8
申请日:2008-12-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种像素阵列,其是使用基板形成的,该基板具有前侧及用于接收入射光的背侧。各个像素通常包含金属化层、感光区域及沟槽,这种金属化层被包含在该基板的前侧中,该感光区域是形成于该基板的后侧中,该沟槽围绕该基板的后侧中的感光区域而形成。该沟槽造成入射光被导引远离该沟槽并朝向该感光区域。
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公开(公告)号:CN101939841A
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN200980104585.9
申请日:2009-02-02
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像感测器像素(400),其包括:一光电二极体(420)区域;及像素电路(430)。该光电二极体区域是布置在一半导体晶粒中,用于回应于入射在该BSI成像感测器像素的一背侧上的光而蓄积一影像电荷。该像素电路包含电晶体像素电路,该像素电路是布置在该半导体晶粒的一前侧与该光电二极体区域之间的该半导体晶粒中。该像素电路的至少一部分重迭于该光电二极体区域。
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公开(公告)号:CN101877769A
公开(公告)日:2010-11-03
申请号:CN201010169638.X
申请日:2010-04-30
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor: 真锅宗平
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/353 , H01L27/14609 , H04N5/357 , H04N5/37452
Abstract: 一种具有全域快门的图像传感器。图像传感器包括:一光电二极管,其用以积聚一图像电荷;及一储存晶体管,其用以储存该图像电荷。一转移晶体管耦合于该光电二极管与该储存晶体管之一输入之间,以选择性地将该图像电荷自该光电二极管转移至该储存晶体管。一输出晶体管耦合至该储存晶体管之一输出以选择性地将该图像电荷转移至一读出节点,且一重设晶体管耦合至该读出节点。一控制器被配置为在激活该储存晶体管之一栅极以储存该图像电荷之前将一负电压施加至该储存晶体管之该栅极。
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