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公开(公告)号：CN115298797A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180008317.8
申请日：2021-01-07
Applicant: 诺信公司
Inventor： 赵建钢 , 罗伯特·S·康德拉少弗 , 詹姆斯·哈尔劳恩 , 大卫·A·普雷斯顿
IPC: H01J37/32 , H01L21/673
Abstract: 一个示例中，等离子体处理腔室的工件支撑结构具有上端和下端以及在该上端和下端之间延伸的第一支撑构件和第二支撑构件。这些支撑构件彼此电气隔离，并且沿着水平方向彼此偏移，以在其间限定空腔。该第一支撑构件和第二支撑构件在空腔内支撑电极，以使得：(1)这些电极沿着竖直方向彼此偏移；(2)这些电极沿着第一水平方向在第一支撑构件与第二支撑构件之间延伸；(3)第一组电极电耦合到该第一支撑构件并且与该第二支撑构件电气隔离；以及(4)与该第一组电极不同的第二组电极电耦合到该第二支撑构件并且与该第一支撑构件电气隔离。
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公开(公告)号：CN101681785B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200880018444.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 诺信公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32623 , H01J2237/3343 , H01L21/67069
Abstract: 用于提高等离子体工艺中的处理均匀性的设备和方法。在等离子体处理期间绕工件(30)的外周边缘(31)延伸的耗蚀性体(104)由等离子体可去除材料组成。该耗蚀性体(104)可以包括被布置为限定圆形几何形状的多个部分(168、170)。耗蚀性体(104)起作用以增大工件(30)的有效外径，它通过有效降低工件(30)的外周边缘(31)附近的蚀刻速度来减轻等离子体处理所固有的有害的边缘效应。
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公开(公告)号：CN103117229B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201210427823.3
申请日：2012-10-31
Applicant: 诺信公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/26175 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/83865 , H01L2224/92125 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/1306 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及制作电子组件的方法。在本发明的实施例中，提供一种用于制作具有衬底和多个电路元件的电子组件的方法。所述方法包括：在所述衬底上形成液体屏障；在所述液体屏障一侧放置第一电路元件；以及在所述液体屏障的相对侧放置第二电路元件。向所述第一电路元件施加液体。所述方法还包括：使用所述液体屏障防止施加至所述第一电路元件的所述液体污染所述第二电路元件，使得能够最小化所述第一和第二电路元件之间的间隔。
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公开(公告)号：CN103117229A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210427823.3
申请日：2012-10-31
Applicant: 诺信公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/26175 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/83865 , H01L2224/92125 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/1306 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及制作电子组件的方法。在本发明的实施例中，提供一种用于制作具有衬底和多个电路元件的电子组件的方法。所述方法包括：在所述衬底上形成液体屏障；在所述液体屏障一侧放置第一电路元件；以及在所述液体屏障的相对侧放置第二电路元件。向所述第一电路元件施加液体。所述方法还包括：使用所述液体屏障防止施加至所述第一电路元件的所述液体污染所述第二电路元件，使得能够最小化所述第一和第二电路元件之间的间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100565819C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510136212.3
申请日：2005-12-22
Applicant: 诺信公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/56 , B29C59/14 , H01L2924/0002 , H05K3/288 , H01L2924/00
Abstract: 用于从基片上的区域去除两种成分的模制材料的薄层的方法，该方法包括使用由第一气体混合物形成的等离子体来去除模制材料的一种成分，并且使用由不同的第二气体混合物形成的等离子体来去除模制材料的另一种成分。对于通常用作模制材料的填充的环氧树脂，第一气体混合物可以是含氧气体种类和含氟气体种类的富氧混合物，而第二气体混合物可以是相同气体的富氟混合物。
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公开(公告)号：CN101681785A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018444.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 诺信公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32623 , H01J2237/3343 , H01L21/67069
Abstract: 用于提高等离子体工艺中的处理均匀性的设备和方法。在等离子体处理期间绕工件(30)的外周边缘(31)延伸的耗蚀性体(104)由等离子体可去除材料组成。该耗蚀性体(104)可以包括被布置为限定圆形几何形状的多个部分(168、170)。耗蚀性体(104)起作用以增大工件(30)的有效外径，它通过有效降低工件(30)的外周边缘(31)附近的蚀刻速度来减轻等离子体处理所固有的有害的边缘效应。
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公开(公告)号：CN104704619A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380037388.6
申请日：2013-07-12
Applicant: 诺信公司
Inventor： 阿莱克·J·巴比亚尔兹 , 霍拉蒂奥·基尼奥内斯 , 托马斯·L·拉特里格 , 赵建钢
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/563 , H01L24/27 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/26175 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83385 , H01L2224/92125 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 用于利用真空辅助应用底部填充物的方法。该方法可包括靠近附接到衬底(12)的电子装置(14)的至少一个外部边缘(18、20、22、24)将底部填充物(30)分配到衬底(12)上。穿过底部填充物(30)中的至少一个间隙(27)，抽空电子装置(14)和衬底(12)之间的空间(28)。该方法进一步包括加热底部填充物(30)，以使底部填充物(30)流入空间(28)内。因为在开始流动之前在空间(28)的敞开部分中提供了真空状态，所以降低了底部填充物空隙的发生率。
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公开(公告)号：CN1825546A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510136212.3
申请日：2005-12-22
Applicant: 诺信公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/56 , B29C59/14 , H01L2924/0002 , H05K3/288 , H01L2924/00
Abstract: 用于从基片上的区域去除两种成分的模制材料的薄层的方法，该方法包括使用由第一气体混合物形成的等离子体来去除模制材料的一种成分，并且使用由不同的第二气体混合物形成的等离子体来去除模制材料的另一种成分。对于通常用作模制材料的填充的环氧树脂，第一气体混合物可以是含氧气体种类和含氟气体种类的富氧混合物，而第二气体混合物可以是相同气体的富氟混合物。
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