一种基于脉冲描述图和对比学习的雷达工作模式识别方法

    公开(公告)号:CN119689405A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411647318.9

    申请日:2024-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于脉冲描述图和对比学习的雷达工作模式识别方法,包括:获取雷达脉冲序列,雷达脉冲序列包括多个按照时间顺序排列的脉冲描述字;将雷达脉冲序列中的脉冲描述字进行脉冲波形参数特征变换,得到脉冲波形参数特征序列;将雷达脉冲序列中的脉冲描述字进行脉冲重频模式特征变换,得到脉冲重频模式特征序列;将脉冲波形参数特征序列和脉冲重频模式特征序列进行相加,得到无标签脉冲描述图;将无标签脉冲描述图进行双线性插值和归一化处理,得到处理后的无标签脉冲描述图;将处理后的无标签脉冲描述图输入至训练好的工作模式识别模型进行处理,得到预测的雷达当前工作模式。本发明能够识别较多的雷达工作模式且识别准确率较高。

    一种基于PSO与LVD的GPS外辐射源目标回波高效积累方法

    公开(公告)号:CN119439110A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411593190.2

    申请日:2024-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于PSO与LVD的GPS外辐射源目标回波高效积累方法。该方法包括:获取回波信号,并对回波信号进行互相关处理,得到脉冲压缩信号;根据脉冲压缩信号,利用PSO算法对目标运动的速度和加速度进行估计,得到估计出的速度和加速度;根据估计出的速度和加速度,对脉冲压缩信号进行一阶距离徙动、二阶距离弯曲以及多普勒频率徙动校正,得到校正后的脉冲压缩信号;利用LVD对校正后的脉冲压缩信号进行相干积累,得到目标检测结果。本发明能够获得更高的信噪比,增益高。

    一种半垂直GaN基逆导型IGBT器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114023815B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202111124189.1

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 本发明公开了一种半垂直GaN基逆导型IGBT器件及其制备方法,该器件包括:衬底,依次设置在衬底上的缓冲层、场截止层、n‑漂移区及p型GaN层;其中,p型GaN层两侧各设有一深沟槽结构,深沟槽结构起始于p型GaN层上表面,向下延伸至场截止层上表面,以将p型GaN层划分成两侧的p+集电区和中间的p基区,从而形成U型半垂直结构;p基区上方设有n+GaN层,作为器件的n+发射区;n+GaN层中间设有沟槽栅结构;p+集电区内靠近深沟槽结构一侧分别设有一n+短路集电极区,p+集电区和n+发射区上方分别淀积有金属电极。本发明提供的器件克服了采用传统IGBT结构制作垂直GaN基逆导型IGBT器件时,内层p‑GaN无法激活的问题,并将集电极从背部转移到正面,使逆导型IGBT的制造工艺变得简单。

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