一种宽范围带隙基准电压源
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115857610A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211584708.7

    申请日:2022-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种宽范围带隙基准电压源,包括:放大电路,包括第一电流镜和第一NMOS管;电压产生电路,包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻;第一NMOS管的源极依次通过第三电阻、第四电阻和第五电阻后接地;第一三极管的集电极与第一电流镜的第一端相连接,基极与第二三极管的基极相连接,发射极依次通过第一电阻以及第二电阻后接地;第二三极管的集电极与第一电流镜的第二端相连接,基极连接于第三电阻和第四电阻之间,发射极连接于第一电阻和第二电阻之间。本发明中的电路,结构简单,且能够实现宽范围的与温度无关的电压源。

    一种微控制器
    7.
    发明公开
    一种微控制器 审中-实审

    公开(公告)号:CN116361233A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310406295.1

    申请日:2023-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种微控制器,包括:中央处理单元;第一系统总线,与中央处理单元相耦合;第一外围装置组、第二系统总线和存储器组,均与第一系统总线相耦合;存储器组包括:Cache存储器和Flash存储器,Cache存储器内包括第一SRAM存储器,且Cache存储器耦合于第一系统总线和Flash存储器之间,以在中央处理单元发起读请求,且读请求对应读地址为Cacheline对应地址以外的地址时,自Flash存储器中读取指令,或者在中央处理单元发起读请求,且读请求对应读地址为Cacheline对应地址其中之一地址时,自Cache存储器内的第一SRAM存储器中读取指令;Flash控制器,耦合于Cache存储器和Flash存储器之间,以在自Flash存储器内读取指令时,对Flash存储器进行ECC校验。本发明中的微控制器,取指速度较快,且安全性较高。

    一种带隙基准电流源
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115756066A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211583445.8

    申请日:2022-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电流源,包括:放大电路,包括第一电流镜和第一NMOS管;第一NMOS管的栅极与第一电流镜的第二端相连接,漏极为带隙基准电流源的输出端;电流产生电路,包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;第一三极管的集电极与第一电流镜的第一端相连接,基极通过第一电阻与第二三极管的基极相连接,发射极依次通过第二电阻以及第三电阻后接地;第二三极管的集电极与第一电流镜的第二端相连接,基极与第一NMOS管的源极相连接,发射极连接于第二电阻和第三电阻之间;第一NMOS管的源级通过第四电阻后接地。本发明中的电路,结构简单,能够实现与温度无关的电流源。

Patent Agency Ranking