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公开(公告)号:CN115857610A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211584708.7
申请日:2022-12-09
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种宽范围带隙基准电压源,包括:放大电路,包括第一电流镜和第一NMOS管;电压产生电路,包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻;第一NMOS管的源极依次通过第三电阻、第四电阻和第五电阻后接地;第一三极管的集电极与第一电流镜的第一端相连接,基极与第二三极管的基极相连接,发射极依次通过第一电阻以及第二电阻后接地;第二三极管的集电极与第一电流镜的第二端相连接,基极连接于第三电阻和第四电阻之间,发射极连接于第一电阻和第二电阻之间。本发明中的电路,结构简单,且能够实现宽范围的与温度无关的电压源。
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公开(公告)号:CN115297341A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210844942.2
申请日:2022-07-18
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H04N21/234 , H04N21/4402 , H04L1/00
Abstract: 本发明公开了一种视频数据传输方法、装置、电子设备及可读存储介质,其中,视频数据传输方法,包括如下步骤:获取第一待传输数据的数据类型;当第一待传输数据为视频像素数据或者视频控制数据时,将第一待传输数据转换为第一模式数据,并采用第一传输模式传输;当第一待传输数据为控制命令时,将第一待传输数据转换为第二模式数据,并采用第二传输模式传输;第一模式数据的位数大于第二模式数据的位数,第一传输模式使用的数据通道多于第二传输模式使用的数据通道。通过执行本发明中的方法,能够防止视频数据在后续传输过程中出现编码/校验的复杂性较高,数据传输的准确性较低的问题。
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公开(公告)号:CN117078534A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202310885562.8
申请日:2023-07-18
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种FPGA硬件加速图像重构方法,包括以下步骤:步骤100,FPGA图像处理模块的图像采集传输单元接收原始图像数据;步骤200,图像采集传输单元将原始图像数据传输至FPGA图像处理模块的图像采集单元;步骤300,图像采集单元将原始图像数据缓存在DDR中,并将原始图像数据传输至FPGA图像处理模块的重建算法单元;步骤400,重建算法单元对原始图像数据进行处理,生成重建图像数据,并将重建图像数据传输至FPGA图像处理模块的图像输出单元;步骤500,图像输出单元将重建图像数据传输至终端中。本发明通过将原始图像数据通过FPGA图像处理模块处理以实现硬件加速的图像实时重建,提高数据处理效率的基础上有效节省资源的占用,提升了实时重建图像的重建效率。
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公开(公告)号:CN117013808A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202311215773.7
申请日:2023-09-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开一种高压自举电容式浮动半桥栅极驱动电路和设备,高压脉波栓锁电平转换器的第一端接DVDD,第二接控制信号,第三接GND,第四、五、六接CBOOT的第二端,第七接高边栅极驱动单元的第一端,第八、九接D1的第二端,D1的第一端接DVDD,CBOOT的第一端接D1的第二端;高边栅极驱动单元的第二、三端接L1的第一端,第四接SW1的栅极,第五、六接D1的第二端,L1的第二端输出电压,接Cout的第一端,Cout的第二端接GND;低边栅极驱动单元的第一端接控制信号,第二、三接GND,第四接SW2的栅极,第五、六接DVDD;SW1的源极接SW2的漏极,漏极接输入电压VIN,SW2的源极接GND。
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公开(公告)号:CN116361233A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202310406295.1
申请日:2023-04-11
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G06F15/78
Abstract: 本发明公开了一种微控制器,包括:中央处理单元;第一系统总线,与中央处理单元相耦合;第一外围装置组、第二系统总线和存储器组,均与第一系统总线相耦合;存储器组包括:Cache存储器和Flash存储器,Cache存储器内包括第一SRAM存储器,且Cache存储器耦合于第一系统总线和Flash存储器之间,以在中央处理单元发起读请求,且读请求对应读地址为Cacheline对应地址以外的地址时,自Flash存储器中读取指令,或者在中央处理单元发起读请求,且读请求对应读地址为Cacheline对应地址其中之一地址时,自Cache存储器内的第一SRAM存储器中读取指令;Flash控制器,耦合于Cache存储器和Flash存储器之间,以在自Flash存储器内读取指令时,对Flash存储器进行ECC校验。本发明中的微控制器,取指速度较快,且安全性较高。
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公开(公告)号:CN115756066A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211583445.8
申请日:2022-12-09
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电流源,包括:放大电路,包括第一电流镜和第一NMOS管;第一NMOS管的栅极与第一电流镜的第二端相连接,漏极为带隙基准电流源的输出端;电流产生电路,包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;第一三极管的集电极与第一电流镜的第一端相连接,基极通过第一电阻与第二三极管的基极相连接,发射极依次通过第二电阻以及第三电阻后接地;第二三极管的集电极与第一电流镜的第二端相连接,基极与第一NMOS管的源极相连接,发射极连接于第二电阻和第三电阻之间;第一NMOS管的源级通过第四电阻后接地。本发明中的电路,结构简单,能够实现与温度无关的电流源。
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