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公开(公告)号:CN119834786A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411683952.8
申请日:2024-11-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H03K17/687 , G06F1/30 , G06F1/28
Abstract: 本发明涉及含基极电流补偿的热关断电源管理电路,包括:热关断判断模块,以及与热关断判断模块连接的正温系数电流模块;正温系数电流模块,用于向热关断判断模块提供补偿后的正温系数电流;补偿后的正温系数电流跟随正温系数线性变化,并且,补偿后的正温系数电流用于反映与热关断电源管理电路电连接的芯片的工作温度;热关断判断模块用于基于补偿后的正温系数电流,确定芯片的工作温度是否处于第一预设阈值和第二预设阈值构成的温度范围内,并在芯片的工作温度大于第二预设阈值时,关断芯片,以及在芯片的工作温度下降至温度范围内时,重新启动芯片。该电路可以准确判断当前芯片的实际工作温度,降低芯片损毁几率。
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公开(公告)号:CN115857610A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211584708.7
申请日:2022-12-09
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种宽范围带隙基准电压源,包括:放大电路,包括第一电流镜和第一NMOS管;电压产生电路,包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻;第一NMOS管的源极依次通过第三电阻、第四电阻和第五电阻后接地;第一三极管的集电极与第一电流镜的第一端相连接,基极与第二三极管的基极相连接,发射极依次通过第一电阻以及第二电阻后接地;第二三极管的集电极与第一电流镜的第二端相连接,基极连接于第三电阻和第四电阻之间,发射极连接于第一电阻和第二电阻之间。本发明中的电路,结构简单,且能够实现宽范围的与温度无关的电压源。
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公开(公告)号:CN117013808A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202311215773.7
申请日:2023-09-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开一种高压自举电容式浮动半桥栅极驱动电路和设备,高压脉波栓锁电平转换器的第一端接DVDD,第二接控制信号,第三接GND,第四、五、六接CBOOT的第二端,第七接高边栅极驱动单元的第一端,第八、九接D1的第二端,D1的第一端接DVDD,CBOOT的第一端接D1的第二端;高边栅极驱动单元的第二、三端接L1的第一端,第四接SW1的栅极,第五、六接D1的第二端,L1的第二端输出电压,接Cout的第一端,Cout的第二端接GND;低边栅极驱动单元的第一端接控制信号,第二、三接GND,第四接SW2的栅极,第五、六接DVDD;SW1的源极接SW2的漏极,漏极接输入电压VIN,SW2的源极接GND。
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公开(公告)号:CN116361233A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202310406295.1
申请日:2023-04-11
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G06F15/78
Abstract: 本发明公开了一种微控制器,包括:中央处理单元;第一系统总线,与中央处理单元相耦合;第一外围装置组、第二系统总线和存储器组,均与第一系统总线相耦合;存储器组包括:Cache存储器和Flash存储器,Cache存储器内包括第一SRAM存储器,且Cache存储器耦合于第一系统总线和Flash存储器之间,以在中央处理单元发起读请求,且读请求对应读地址为Cacheline对应地址以外的地址时,自Flash存储器中读取指令,或者在中央处理单元发起读请求,且读请求对应读地址为Cacheline对应地址其中之一地址时,自Cache存储器内的第一SRAM存储器中读取指令;Flash控制器,耦合于Cache存储器和Flash存储器之间,以在自Flash存储器内读取指令时,对Flash存储器进行ECC校验。本发明中的微控制器,取指速度较快,且安全性较高。
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公开(公告)号:CN115756066A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211583445.8
申请日:2022-12-09
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电流源,包括:放大电路,包括第一电流镜和第一NMOS管;第一NMOS管的栅极与第一电流镜的第二端相连接,漏极为带隙基准电流源的输出端;电流产生电路,包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;第一三极管的集电极与第一电流镜的第一端相连接,基极通过第一电阻与第二三极管的基极相连接,发射极依次通过第二电阻以及第三电阻后接地;第二三极管的集电极与第一电流镜的第二端相连接,基极与第一NMOS管的源极相连接,发射极连接于第二电阻和第三电阻之间;第一NMOS管的源级通过第四电阻后接地。本发明中的电路,结构简单,能够实现与温度无关的电流源。
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公开(公告)号:CN120010613A
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202510110709.5
申请日:2025-01-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种基于频率补偿电路的大电流宽电容范围LDO,包括:一级运算放大器用于放大误差信号;二级运算放大器用于对放大的误差信号进行二次放大;驱动电路用于增强二次放大的误差信号的驱动能力;电流输出电路用于根据增强了驱动能力的二次放大的误差信号和输入电压调整输出需求的输出电流;反馈电路用于根据输出电流产生新的反馈电压;一级运算放大器还用于放大新的误差信号;频率补偿电路用于利用多零极点动态补偿支路和电流缓冲补充支路,根据输出电流来调整新的误差信号中多个零极点的位置以抵消次极点的同时拓宽整个单位增益带宽,得到调整的误差信号。本发明在较大的电流输出范围下和较大的负载电容范围下仍然可以获得较大带宽。
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公开(公告)号:CN115297341A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210844942.2
申请日:2022-07-18
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H04N21/234 , H04N21/4402 , H04L1/00
Abstract: 本发明公开了一种视频数据传输方法、装置、电子设备及可读存储介质,其中,视频数据传输方法,包括如下步骤:获取第一待传输数据的数据类型;当第一待传输数据为视频像素数据或者视频控制数据时,将第一待传输数据转换为第一模式数据,并采用第一传输模式传输;当第一待传输数据为控制命令时,将第一待传输数据转换为第二模式数据,并采用第二传输模式传输;第一模式数据的位数大于第二模式数据的位数,第一传输模式使用的数据通道多于第二传输模式使用的数据通道。通过执行本发明中的方法,能够防止视频数据在后续传输过程中出现编码/校验的复杂性较高,数据传输的准确性较低的问题。
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