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发明公开
基于铝钪氮薄膜的crossbar逻辑架构及制备方法审中-实审转让

公开(公告)号：CN118215390A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410349031.1

申请日：2024-03-26

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李晓茜 , 方媛 , 曾翔宇 , 吴志帆 , 刘艳 , 韩根全

IPC: H10N97/00 , H10B53/30

Abstract: 本发明提供一种基于铝钪氮薄膜的crossbar逻辑架构及制备方法，包括以下步骤：S1：准备硅基衬底；S2：在硅基衬底上溅射生长底层金属薄膜，并对生长均匀的底层金属薄膜进行光刻刻蚀得到多个独立电极；S3：在底层金属薄膜上溅射生长AlScN薄膜，其中独立电极上表面生长AlScN薄膜形成铁电薄膜电容；S4：在生长均匀的AlScN薄膜上生长顶层金属薄膜，并对生长均匀的顶层金属薄膜进行套刻刻蚀，其中顶层金属薄膜串联铁电薄膜电容，减小铝钪氮薄膜的厚度的同时减小漏电，实现了低漏电、低成本以及可拓展的crossbar逻辑架构，提高了器件性能进而使得器件能够灵活应用于存内计算的广泛领域。

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