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公开(公告)号：CN119855312A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510063962.X
申请日：2025-01-15
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明公开了一种非易失可调谐铁电三端发光二极管及其制备方法，器件包括依次布置的n型层、发光层和p型层，在n型层或p型层布置有铁电层和铁电控制端电极，本发明通过在发光二极管中引入铁电层和铁电控制端电极，从而实现了对发光波长的非易失性调谐。铁电极化翻转的响应时间在纳秒量级，允许铁电三段发光二极管实现高效写入和读取操作，通过动态调谐波长，可用于高效光通信，提升带宽和频谱利用率。同时，本发明通过铁电电容的非易失性存储功能，可以将信息存储于铁电电容，并通过激发不同波长的光波输出，可作为光子计算中的可编程逻辑单元，利用不同波长编码不同计算状态，实现光逻辑运算。
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公开(公告)号：CN119781192A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510268391.3
申请日：2025-03-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G02F1/05
Abstract: 一种基于超晶格结构的氧化铪基铁电晶相调制方法，将氧化铪基铁电薄膜中的每个氧化铪层设计为由m个氧化铪子层堆叠而成，每个掺杂元素层设计为由n个掺杂元素子层堆叠而成；氧化铪层与掺杂元素层堆叠形成超晶格结构，通过确定m和n的取值，调制氧化铪基铁电晶相为o相占主导、t相占主导或o/t混合相，方法如下：以体积计，当o相含量大于60%时，为o相占主导，2≤m≤10，n=1.5×m；当t相含量大于60%时，为t相占主导，20≤m≤30，n=2.5×m；当o相含量与t相含量相差不超过20%时，为o/t混合相，10＜m＜20，n=2×m；其中m为偶数。本发明可实现氧化铪基铁电薄膜的晶相可调制、极低漏电及高可靠性。
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公开(公告)号：CN115589774B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211568188.0
申请日：2022-12-08
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明提供了一种光控电容型铁电存储器，包括自下而上依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层、顶电极；所述半导体层的耗尽层电容状态代表了铁电存储器的存储信息；所述顶电极施加电压，半导体层中的载流子数量受光照调控与铁电介质层中的极化电荷相互响应，并改变半导体层的耗尽层电容状态。本发明利用光电调控铁电介质层的电极化状态，进而编辑半导体层的耗尽层电容状态，通过半导体层的耗尽层电容状态表征铁电存储器的存储信息，从而使存储器具有光信号感知功能和信息存储功能，且该存储器为电容型存储器，具有零静态功耗的显著优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116705098A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310680801.6
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法，所述铁电电容型存储器包括依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层和顶电极，其特征在于，以所述半导体层的耗尽层电容与铁电介质层电容的串联电容Cacc代表存储信息，向所述顶电极施加写入或擦除的脉冲电压，通过所述脉冲电压的幅值调控半导层的耗尽层电容和铁电介质层的极化状态，即调控半导体层中与铁电介质层中的极化电荷相互响应的光生非平衡载流子的数量，或多数载流子的数量，从而改变Cacc的状态，实现多值存储。
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公开(公告)号：CN115589774A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211568188.0
申请日：2022-12-08
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明提供了一种光控电容型铁电存储器，包括自下而上依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层、顶电极；所述半导体层的耗尽层电容状态代表了铁电存储器的存储信息；所述顶电极施加电压，半导体层中的载流子数量受光照调控与铁电介质层中的极化电荷相互响应，并改变半导体层的耗尽层电容状态。本发明利用光电调控铁电介质层的电极化状态，进而编辑半导体层的耗尽层电容状态，通过半导体层的耗尽层电容状态表征铁电存储器的存储信息，从而使存储器具有光信号感知功能和信息存储功能，且该存储器为电容型存储器，具有零静态功耗的显著优势。
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公开(公告)号：CN117133328A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311100722.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明提供了一种铁电电容型存储器可重构光电存内逻辑操作方法，属于感存内计算领域。所述的铁电电容型存储器包括自下而上依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层、顶电极；所述的顶电极施加输入电压信号A和光信号B前的Cacc记为铁电电容型存储器的初始电容状态S。所述的铁电电容型存储器，当初始电容状态S＝1时，输出Y输出为“与非门”逻辑，当初始电容状态S＝0时，输出Y输出为“非门”逻辑，通过调控初始电容状态S实现铁电电容型存储器的“与非门”和“非门”可重构光电存内逻辑功能。本发明提供的可重构光电存内逻辑功能实现方法可以使铁电电容型存储器应用于发展高能效、低功耗、高算力感存算一体化器件及芯片技术。
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公开(公告)号：CN116314430A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310400635.X
申请日：2023-04-14
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种基于异质结的铁电电容型光电探测器件，包括依次设置的底电极、GeSn层、SiGeSn层、铁电介质层和顶电极；GeSn层与SiGeSn层形成SiGeSn/GeSn异质结，即半导体层；光电探测信息通过耗尽层电容状态表征：其中，无光信号情况下，无极化翻转电流，耗尽层电容为低电容状态；有光信号情况下，产生极化翻转电流，耗尽层电容呈高电容状态；耗尽层电容为SiGeSn/GeSn异质结构成的半导体层与铁电介质层的接触界面处的耗尽层产生的电容，本发明实现了中红外宽光谱检测功能，同时利用半导体构成的异质结构大大提高光电探测器件的探测灵敏度，且具备低功耗和高集成度特性。
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公开(公告)号：CN117596891A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311536315.3
申请日：2023-11-16
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H10B51/30 , H10B53/30 , H10N97/00 , H01L21/336
Abstract: 本发明一种无界面纤锌矿铁电氮化物存储器，包括相接触的氮化物半导体衬底、纤锌矿铁电介质层；利用纤锌矿铁电材料与氮化物衬底材料之间良好的晶格匹配，通过原位溅射工艺、原子层沉积工艺或外延生长工艺在氮化物半导体衬底上直接生长纤锌矿铁电介质层，最终实现纤锌矿铁电材料与氮化物半导体衬底之间无界面层的纤锌矿铁电氮化物存储器，以解决现有的铁电存储器因非理想界面层的存在引发的额外功耗和可靠性退化等一系列问题。本发明提供的低功耗、高可靠性、高开关比及高记忆窗口的无界面层纤锌矿铁电氮化物存储器可应用于发展高算力、高能效、低功耗和高可靠性的存算器件及芯片技术。
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