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公开(公告)号：CN116314430A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310400635.X
申请日：2023-04-14
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种基于异质结的铁电电容型光电探测器件，包括依次设置的底电极、GeSn层、SiGeSn层、铁电介质层和顶电极；GeSn层与SiGeSn层形成SiGeSn/GeSn异质结，即半导体层；光电探测信息通过耗尽层电容状态表征：其中，无光信号情况下，无极化翻转电流，耗尽层电容为低电容状态；有光信号情况下，产生极化翻转电流，耗尽层电容呈高电容状态；耗尽层电容为SiGeSn/GeSn异质结构成的半导体层与铁电介质层的接触界面处的耗尽层产生的电容，本发明实现了中红外宽光谱检测功能，同时利用半导体构成的异质结构大大提高光电探测器件的探测灵敏度，且具备低功耗和高集成度特性。
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