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发明公开
一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构审中-实审

公开(公告)号：CN116301154A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310182351.8

申请日：2023-02-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 刘智 , 于洪波 , 陈泽强 , 姚思远 , 葛梅 , 吴嘉琪

IPC: G05F1/56 , H03K19/003

Abstract: 本发明一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构，包括电压基准、误差放大器、输出驱动电路、PMOS功率调整管P1、NMOS晶体管N1和反馈电阻；电压基准与误差放大器反相端连接，误差放大器的输出端与输出驱动电路的输入端连接，输出驱动电路的输出端与PMOS功率调整管P1栅极连接，PMOS功率调整管P1源极与输入节点VIN连接，PMOS功率调整管P1漏极与输出节点VOUT连接，NMOS晶体管N1栅极与输入节点VIN连接，NMOS晶体管N1漏极与输出节点VOUT连接，NMOS晶体管N1源极通过反馈电阻与误差放大器正相端连接。本发明能减少LDO输出电压在经受γ瞬时辐照时的扰动幅度和辐照后输出电压恢复时间。

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