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公开(公告)号：CN118858695A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410960806.9
申请日：2024-07-17
Applicant: 西安交通大学 , 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种加速度传感器测试装置及测试方法，属于电动离心转台技术领域，所述加速度传感器测试装置包括基座和光电测速传感模组，所述基座上转动连接有转盘，所述转盘上端与光轴连接，所述光轴通过联轴器连接于动力装置的主轴；所述光轴与滑环的活动内圈固定连接，滑环的外圈与滑环固定座固定连接，滑环固定座与上板固定连接；所述上板与基座通过若干支撑柱连接；所述转盘通过底部伸出的轴颈与固定在基座上的轴承内圈过盈配合，通过轴肩与轴承内圈端面配合进行定位。具有振动小、精度高等特点。
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公开(公告)号：CN118353342A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410453023.1
申请日：2024-04-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02S10/10 , H02S40/44 , H02S40/42 , H02S40/22 , H02S10/40 , H02S10/20 , H02S40/30 , H02N11/00 , B63B35/00 , B63B17/00 , G01N27/12
Abstract: 本申请公开了一种光伏温差自供电的小船及无线监测系统，属于发电领域。包括：船体、光伏电池片以及热电片；光伏电池片以及热电片层叠设置于船体中，且热电片位于光伏电池片与船体的底部之间，光伏电池片具有受光面和背光面，受光面与背光面相对，热电片沿热电片的厚度方向具有相对的第一面和第二面，热电片的第一面与背光面接触，热电片的第二面朝向船体的底部；在光伏电池片的受光面受到阳光照射的情况下，光伏电池片将阳光转换为电能，且背光面的温度升高，以使热电片的第一面的温度高于热电片的第二面的温度，使热电片产生电能。
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公开(公告)号：CN118275025A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410531765.1
申请日：2024-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种低串扰多冗余薄膜压力传感器芯体及制备方法，属于微纳传感器技术领域，传感器芯体包括连接在一起的上层应变结构和下层弹性结构；所述上层应变结构包括至少两个应变单元和外接于应变单元外的环形键合结构，所述应变单元包括依次连接的扇形键合结构、一组受拉应变梁和一组受压应变梁；所述下层弹性结构包括压力腔壁，所述压力腔壁内设置有环形弹性膜片，所述环形弹性膜片上方设置有岛状键合结构；环形弹性膜片下方具有压力槽；所述压力腔壁、环形弹性膜片与圆形岛状键合结构间形成环形凹槽。该压力传感器芯体能有效降低电阻间的串扰，不同应变单元间串扰极低，每个应变单元均能独立实现压力测量。该结构能够保证传感器具有较高的冗余度。
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公开(公告)号：CN117396002A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311332727.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机电化学晶体管的柔性压痛传感器及其制备方法，该痛觉感受器的结构从下到上依次包括柔性衬底、源漏电极、半导体通道、多孔凝胶介电层、栅电极和表面封装层。通过旋涂固化工艺依次完成衬底层、封装层、半导体通道层的制备；通过蒸镀工艺实现源漏电极和栅电极的制备；通过浇注并刻蚀自组装形成的可溶性牺牲模板获得多孔凝胶介电层。压力作用下，多孔凝胶介电层与栅电极的接触面积发生变化，改变了双电层电容，进而控制凝胶中的离子对半导体通道层的掺杂与去掺杂过程，实现痛觉传感器的四大关键特性：阈值、放松、不适应和痛觉敏化。在医疗康复、人体假肢以及类人机器人等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114323395B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111595510.4
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由SOI器件层和玻璃器件层键合组成；SOI器件层包括顶层硅结构、埋氧层结构和衬底层硅结构；顶层硅结构包括第一中心质量块，第一中心质量块通过蟹腿型梁和顶层边框连接，顶层边框和中心质量块之间设有梳齿电容；埋氧层结构包括释放区和非释放区；衬底层硅结构包括第二中心质量块，第二中心质量块通过T型梁和衬底层边框连接，第二中心质量块中部设有安装腔体，外部的载荷传递立柱安装于安装腔体当中，将力/力矩传递到第二中心质量块；本发明实现六轴力的解耦检测，易于电路集成；以SOI晶圆和玻璃圆片为基础，结合光刻、浅刻蚀等工艺实现芯片的制备，工艺简单，易于批量制造。
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公开(公告)号：CN115265848A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210907400.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励电容检测的硅谐振压力传感器，包括依次设置的玻璃层，谐振器层以及敏感膜层，敏感膜层包括压力敏感膜和固定在压力敏感膜层上的两个硅岛；所述谐振器层包括分别与两个硅岛连接的两个可动锚点；每个可动锚点一端两侧分别与两个谐振梁第一端连接，位于同一侧的谐振梁第二端与同一个质量块连接，两个质量块通过耦合梁连接；所述耦合梁包括四根一端连接至连接点的单梁；谐振梁外侧设置有激励结构，激励结构外设置有检测结构。本发明的耦合梁为四点接触式耦合梁，在满足对两质量块耦合并为谐振器提供刚度增大模态频率间隔的同时，也能够有效减少加速度冲击对耦合梁结构的影响，从而保证传感器工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN114993520A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210609327.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表压式谐振压力传感器及制备方法，提出了一种适合用于表压式压力测量的谐振式压力传感器设计结构，该传感器采用静电激励电容检测，包括压力膜片层、谐振器层以及真空封装层，压力膜片层主要用于承受载荷压力，当承受载荷压力时，压力膜片产生变形，从而带动压力膜片上的锚点产生轴向位移，进而使谐振梁产生轴向内应力，谐振器层主要将谐振梁轴向应力转化为谐振子谐振频率的变化，从而表征压力的大小，封装层将同时作为结构变形层以及真空封装层，用于形成高真空密封空腔。
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公开(公告)号：CN114204846A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111447188.0
申请日：2021-11-30
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种可滑动磁耦合限幅综合拓频的压电振动能量收集器，能量收集器，包括框架、磁体质量块和压电双晶片，压电双晶片的两端与框架连接，磁体质量块套设于压电双晶片上且能够在压电双晶片上滑动；框架在压电双晶片中心的两侧位置对称设有第一磁体和第二磁体，磁体质量块与第一磁体以及与第二磁体相互吸引，框架内侧和磁体质量块的间距为限幅间距。本发明具有非线性振动的特点，合理控制磁力大小和限幅间距能够使系统达到三稳态，将大幅拓展谐振频带，因此在较宽频带有大幅压电输出，适应环境随机宽频的振动特点。同时本发明可滑动磁耦合限幅综合拓频的压电振动能量收集器结构紧凑，可提升压电振动发电功率密度。
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公开(公告)号：CN113218544A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110462410.8
申请日：2021-04-27
Applicant: 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院 , 西安航天动力研究所
Inventor： 赵立波 , 李学琛 , 韩香广 , 乔智霞 , 皇咪咪 , 李伟 , 徐廷中 , 杨萍 , 高漪 , 王鸿雁 , 关卫军 , 吴永顺 , 李支康 , 朱瑄 , 王久洪 , 魏于昆 , 山涛 , 蒋庄德
Abstract: 本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
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公开(公告)号：CN115265848B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210907400.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 西安交通大学 , 中国航发控制系统研究所
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励电容检测的硅谐振压力传感器，包括依次设置的玻璃层，谐振器层以及敏感膜层，敏感膜层包括压力敏感膜和固定在压力敏感膜层上的两个硅岛；所述谐振器层包括分别与两个硅岛连接的两个可动锚点；每个可动锚点一端两侧分别与两个谐振梁第一端连接，位于同一侧的谐振梁第二端与同一个质量块连接，两个质量块通过耦合梁连接；所述耦合梁包括四根一端连接至连接点的单梁；谐振梁外侧设置有激励结构，激励结构外设置有检测结构。本发明的耦合梁为四点接触式耦合梁，在满足对两质量块耦合并为谐振器提供刚度增大模态频率间隔的同时，也能够有效减少加速度冲击对耦合梁结构的影响，从而保证传感器工作的稳定性。
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