一种微压传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN111521304B

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202010476549.3

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种微压传感器芯片及其制备方法,传感器芯片主要构成包括应力膜、基底、压阻条、金属引线、防过载保护组件等。具体结构为在芯片结构基底上制作具有应力调节槽和应力集中槽的应力膜。应力膜边缘均匀分布四条应力集中槽,四个压敏电阻条布置在相邻两条应力集中槽端部之间,金属引线将压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥。芯片背腔的十字支撑梁和凸块两者之间的间隙进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果;主要制备流程包括:对经清洗后的SOI硅片制作压敏电阻条,再采用P型重掺杂制作欧姆接触区,然后制作金属引线和焊盘,再干法刻蚀应力集中槽和应力调节槽,接着制作芯片的背腔结构,最后将制作的芯片结构基底与防过载玻璃进行键合。

    一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN111498795A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010479167.6

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片及其制备方法,属于MEMS压阻式压力传感器领域,传感器芯片由浮雕薄膜结构层和背腔结构层组成,浮雕薄膜结构层分为浮雕层和薄膜层,浮雕层由位于薄膜内部带圆角的十字形结构组成,浮雕结构与薄膜边缘相接处布置有压敏电阻条,压敏电阻条的有效长度沿着压阻系数最大的晶向,且每个压敏电阻条内部间隙布置隔离槽阵列结构,使应力集中在制备压敏电阻条的位置上,提高了传感器的灵敏度。金属引线将四个压敏电阻条两两连接形成两个电阻,且将压敏电阻条与布置在基底上的四个焊盘连接,并与外置相同阻值的两个电阻连接组成惠斯通全桥实现电信号的输入输出。背腔是C型腔结构,制作工艺简单。

    基于倒装技术的压力传感器芯片、封装结构与制备方法

    公开(公告)号:CN114323406A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111668359.2

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明公开了基于倒装技术的压力传感器芯片、封装结构与制备方法,适用于爆炸冲击波压力场高动态测量。本发明压力传感器芯片包括压力敏感芯片与转接板,其中压力敏感芯片采用压阻式原理,设置有感受外界压力变化的岛膜结构,通过将应力敏感梁、敏感电阻与背腔布置在非承压面,保证压力敏感面为平面,同时传感器整体采用齐平式封装的结构,保证与压力介质接触面为平面,避免传统倒装压力芯片在风动压测量过程中,压力介质须绕射芯片背腔到达压力敏感面,从而造成传感器动态测量精度低、频率响应不足的问题。而转接板采用硅通孔或玻璃通孔的方式,实现电信号的无引线传输,避免了常规金丝引线引起的断裂与短路状况,提升传感器的工作可靠性。

    一种微压传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN111521304A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN202010476549.3

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种微压传感器芯片及其制备方法,传感器芯片主要构成包括应力膜、基底、压阻条、金属引线、防过载保护组件等。具体结构为在芯片结构基底上制作具有应力调节槽和应力集中槽的应力膜。应力膜边缘均匀分布四条应力集中槽,四个压敏电阻条布置在相邻两条应力集中槽端部之间,金属引线将压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥。芯片背腔的十字支撑梁和凸块两者之间的间隙进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果;主要制备流程包括:对经清洗后的SOI硅片制作压敏电阻条,再采用P型重掺杂制作欧姆接触区,然后制作金属引线和焊盘,再干法刻蚀应力集中槽和应力调节槽,接着制作芯片的背腔结构,最后将制作的芯片结构基底与防过载玻璃进行键合。

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