一种谐振式压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113465791B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202110673446.0

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种谐振式压力传感器及其制备方法,压力传感器包括碳化硅谐振器,碳化硅谐振器与压力敏感膜通过锚点相连,碳化硅谐振器包括支撑梁,支撑梁通过柔性梁与外部框架连接,支撑梁与固定电极连接并固定在锚点处,质量块结构通过谐振梁与支撑梁连接,耦合梁通过三角梁与质量块结构连接,耦合梁与可动电极连接,质量块结构与另一可动电极连接,固定电极与可动电极均为梳齿电极,并构成两对梳齿电极对,耦合梁上设置有拾振电阻,并连接有金属电极引线,通过三角梁的设计增大了耦合梁应力集中区域,配合拾振电阻的布置,提升了压力传感器的检测精度,基于第三代半导体材料碳化硅的优良特性,同时获得了高温环境下工作的长期稳定性。

    测量热流密度以及压力的复合式薄膜传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN114199306A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111482103.2

    申请日:2021-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种测量热流密度以及压力的复合式薄膜传感器及制备方法,包括电容式薄膜压力传感部分和热流密度传感部分;电容式薄膜压力传感部分包括掺杂硅基底,掺杂硅基底下方自上至下依次设置有介质绝缘层、多晶硅层和压感基底,压感基底与掺杂硅基底之间具有真空密封腔,压感基底上设置有电容下极板,电容下极板位于真空密封腔中,真空密封腔正上方的掺杂硅基底为电容上极板;热流密度传感部分包括热电堆层基底、热电堆层和热阻层;热电阻层包括热电阻冷端和热电阻层热端,热电堆层包括依次连接且间隔设置的第一热电偶和第二热电偶。采用铜和康铜作为热电偶电极材料,材料易得,生产成本低,适合于大规模工业生产。

    一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113526452B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202110694517.5

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法,传感器芯片包括外围压力测量单元和中心温度测量单元;压力测量单元由带凸起岛的碳化硅基底,背面刻蚀有圆形背腔形成压力敏感膜片,凸起岛和压力敏感膜片构成了膜岛结构,在凸起岛之外,压力敏感膜片之内,沿着压力敏感膜片根部圆周对称布置四个压阻条;温度测量单元包括基底凸起岛以及布置在其上的薄膜热电偶;当压力作用在芯片上时,压力测量单元通过半导体压阻效应及惠斯通电桥将压力转变成电信号输出,同时温度测量单元通过金属薄膜热电偶塞贝克效应将温度转换成热电势输出,以此完成高温下压力和温度的实时检测,具有耐高温、微型化、灵敏度高、稳定性好等优点。

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