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发明公开
一种基于铯铜碘的H2S气敏传感器及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116500094A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310205322.9

申请日：2023-03-06

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 欧凯 , 贺懿 , 夏钰东 , 倪宇翔 , 唐永亮 , 张文婷 , 王红艳

IPC: G01N27/12 , C23C14/06 , C23C16/30 , C23C14/24 , B05D1/00

Abstract: 本发明涉及气敏传感器技术领域，公开了一种基于铯铜碘的H2S气敏传感器及制备方法，包括叉指电极基底和功能层；所述功能层为CsCu2I3钙钛矿材料。本发明能在常温条件下进行工作，采用的CsCu2I3钙钛矿材料相比与其他卤化物钙钛矿，如铅基钙钛矿，有机钙钛矿等，具有稳定、无毒的优势，在多次使用响应后能快速恢复，并且CsCu2I3钙钛矿材料还没有在这领域进行相关的应用。

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