公开(公告)号：CN107403790B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201710282346.9

申请日：2017-04-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.哈特纳 ,  T.迈尔 ,  M.沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明公开具有片上天线的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括半导体管芯，该半导体管芯具有有源主表面以及与有源主表面相对的相对主表面。该半导体器件还包括布置在半导体管芯的有源主表面上的天线以及布置在半导体管芯的相对主表面上的凹进部分。该凹进部分布置在天线之上。

公开(公告)号：CN107968084A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711380861.7

申请日：2013-10-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G.比尔 ,  O.盖特纳 ,  W.哈特纳 ,  M.波尔穆萨维 ,  K.普雷泽尔 ,  M.沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/522 ,  H01Q1/22 ,  H01Q19/10

Abstract: 本发明涉及具有集成天线的半导体封装及其形成方法。在本发明的一个实施例中，半导体封装包括具有第一主表面和相对的第二主表面的衬底。芯片设置在该衬底中。该芯片包括在该第一主表面的多个接触焊盘。第一天线结构设置在该第一主表面。反射器设置在该第二表面。

公开(公告)号：CN107403790A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710282346.9

申请日：2017-04-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.哈特纳 ,  T.迈尔 ,  M.沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明公开具有片上天线的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括半导体管芯，该半导体管芯具有有源主表面以及与有源主表面相对的相对主表面。该半导体器件还包括布置在半导体管芯的有源主表面上的天线以及布置在半导体管芯的相对主表面上的凹进部分。该凹进部分布置在天线之上。