公开(公告)号：CN105810657A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610036191.6

申请日：2016-01-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.哈特纳 ,  G.豪布纳 ,  M.R.尼斯纳 ,  S.帕尔克

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/52 ,  H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/66 ,  H01L24/20 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/181 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894

Abstract: 本发明涉及具有高频电介质和热机械缓冲的芯片载体层压体。一种用于承载经包封的电子芯片（102）的芯片载体（100），其中芯片载体（100）包括形成为多个电气绝缘结构（104）和多个电气传导结构（106）的叠层的层压结构，以及被配置用于电气和机械耦合经包封的电子芯片（102）的层压结构的暴露表面处的芯片耦合区域（108），其中一个电气绝缘结构（104）被配置为由与高频信号的低损传输兼容的材料制成的高频电介质（110），并且其中另一个电气绝缘结构（104）和一个电气传导结构（106）中的至少一个被配置为用于缓冲热学诱导的机械负载的热机械缓冲（112）。

公开(公告)号：CN109119399B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201810650999.2

申请日：2018-06-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.阿尔乔尼 ,  R.费勒 ,  C.盖斯勒 ,  W.哈特纳 ,  G.豪布纳 ,  T.迈尔 ,  M.R.尼斯纳 ,  M.沃吉诺夫斯基

IPC: H01L23/498

Abstract: 本发明公开了包括包含空隙的再分布层焊盘的电子器件。一种电子器件，包括焊料球、包括开口的电介质层以及包括与焊料球连接的RDL焊盘的再分布层（RDL），该RDL焊盘包括至少一个空隙，该空隙至少部分地设置在RDL焊盘的在电介质层的开口的横向外侧的区域中。

公开(公告)号：CN105810657B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610036191.6

申请日：2016-01-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W.哈特纳 ,  G.豪布纳 ,  M.R.尼斯纳 ,  S.帕尔克

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及具有高频电介质和热机械缓冲的芯片载体层压体。一种用于承载经包封的电子芯片（102）的芯片载体（100），其中芯片载体（100）包括形成为多个电气绝缘结构（104）和多个电气传导结构（106）的叠层的层压结构，以及被配置用于电气和机械耦合经包封的电子芯片（102）的层压结构的暴露表面处的芯片耦合区域（108），其中一个电气绝缘结构（104）被配置为由与高频信号的低损传输兼容的材料制成的高频电介质（110），并且其中另一个电气绝缘结构（104）和一个电气传导结构（106）中的至少一个被配置为用于缓冲热学诱导的机械负载的热机械缓冲（112）。

公开(公告)号：CN109119399A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810650999.2

申请日：2018-06-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F.阿尔乔尼 ,  R.费勒 ,  C.盖斯勒 ,  W.哈特纳 ,  G.豪布纳 ,  T.迈尔 ,  M.R.尼斯纳 ,  M.沃吉诺夫斯基

IPC: H01L23/498

Abstract: 本发明公开了包括包含空隙的再分布层焊盘的电子器件。一种电子器件，包括焊料球、包括开口的电介质层以及包括与焊料球连接的RDL焊盘的再分布层（RDL），该RDL焊盘包括至少一个空隙，该空隙至少部分地设置在RDL焊盘的在电介质层的开口的横向外侧的区域中。