公开(公告)号：CN115527989A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210570910.8

申请日：2022-05-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·阿列克索夫 ,  J·斯旺 ,  S·利夫 ,  F·艾德 ,  A·埃尔谢尔比尼 ,  J·赛博特

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 一种复合集成电路(IC)结构至少包括与第二IC管芯堆叠的第一IC管芯。每一管芯具有装置层以及互连至所述装置层的晶体管并且终止于特征处的金属化层。第一IC管芯的第一特征主要具有第一成分，所述第一成分具有第一微结构。第二IC管芯的第二特征主要具有第二成分或者第二微结构。第二特征中的第一个与第一特征中的一个直接接触。第二成分具有的热导率比第一成分和第一微结构的热导率低至少一个数量级。第一成分具有的热导率可以是第二成分或第二微结构的热导率的至少40倍。

公开(公告)号：CN117581353A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280042455.2

申请日：2022-07-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·帕斯达斯特 ,  S·N·蒂亚戈劳伊 ,  A·A·埃尔谢尔比尼 ,  T·卡尔尼克 ,  D·库里安 ,  J·赛博特

IPC: H01L23/00

Abstract: 本文公开的实施例包括管芯和管芯模块。在实施例中，管芯包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的衬底。在实施例中，衬底包括半导体材料。在实施例中，具有第一间距的第一凸块在衬底的第一表面上。在实施例中，第一层围绕第一凸块，其中第一层包括电介质材料。在实施例中，具有第二间距的第二凸块在衬底上。在实施例中，第二间距大于第一间距。在实施例中，第二层围绕第二凸块，其中第二层包括电介质材料。

公开(公告)号：CN117546290A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280043541.5

申请日：2022-11-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·L·莫尔纳 ,  A·A·埃尔谢尔比尼 ,  T·卡尔尼克 ,  S·M·利夫 ,  R·J·穆诺茨 ,  J·赛博特 ,  J·M·斯旺 ,  N·纳西夫 ,  G·S·帕斯达斯特 ,  K·巴拉斯 ,  N·查德瓦尼 ,  D·E·尼科诺夫

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了一种微电子组件，包括：位于第一层中的第一多个集成电路(IC)管芯；位于第二层中的第二多个IC管芯，第二层位于第一层与第三层之间；以及位于第三层中的第三多个IC管芯。在一些实施例中，第二多个IC管芯包括呈行和列的阵列的IC管芯，第二多个IC管芯中的每个IC管芯耦合到第一多个IC管芯中的多于一个IC管芯，并且第三多个IC管芯将提供第二多个IC管芯中的相邻的IC管芯之间的电耦合。