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公开(公告)号：CN116836219A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310669990.7
申请日：2023-06-07
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了科罗索酸(CA)新型衍生物的制备方法与应用，以CA为原料，针对C‑28羧基和C‑2、C‑3位羟基利用酯化反应或酰胺化反应制备衍生物，以其为活性成分制备治疗胰岛素抵抗的药物。本发明首次公开的新型CA衍生物对HepG2细胞和RAW264.7巨噬细胞无明显的细胞毒性，安全性明显优于CA。在HepG2细胞中，能显著增加胰岛素抵抗模型中糖原的合成、降低葡萄糖的生产，抑制糖异生水平，当用游离脂肪酸(FFA)刺激HepG2细胞时，可降低细胞中甘油三酯水平；在RAW264.7细胞中，可抑制LPS诱导的NO的释放，表现出显著的抗炎活性。通过增强胰岛素信号通路中AKT、GSK3β的磷酸化水平及GLUT4蛋白和IκBα蛋白的表达,这些衍生物表现出比CA更好的拮抗胰岛素抵抗作用和抗炎活性，进而治疗肥胖和Ⅱ型糖尿病。
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公开(公告)号：CN108897088A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810692085.2
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm-1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108845384B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810691569.5
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106199814B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610810350.3
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器,包括基底、过渡层以及像素层;像素层由超像素结构单元阵列组成;超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅;双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成;介质光栅的周期为260nm‑300nm,占空比为0.5‑0.7,厚度为90nm‑110nm;金属层的厚度为70nm‑90nm;在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷。
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公开(公告)号：CN105954826B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610469385.5
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm ‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106199814A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610810350.3
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3058
Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器，包括基底、过渡层以及像素层；像素层由超像素结构单元阵列组成；超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅；双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成；介质光栅的周期为260nm-300nm，占空比为0.5-0.7，厚度为90nm-110nm；金属层的厚度为70nm-90nm；在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷。
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公开(公告)号：CN106098910A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610714744.9
申请日：2016-08-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L33/502 , B82Y20/00 , H01L33/58 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了基于荧光陶瓷及双层纳米光栅结构的偏振白光LED，其可根据结构参数进行调制工作波段，其中在450nm~650nm可见光范围消光比大于20dB，TM波透过率高于60%。本发明在荧光陶瓷基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷，并且在过渡层表面集成一种介质光栅和双层金属的复合结构，将复合结构与蓝光GaN基LED相耦合，最终实现偏振白光出射。过渡层和介质层光栅为氟化镁、二氧化硅、PMMA等半导体材料构成，纳米光栅为铝、银、金等金属材料构成。
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公开(公告)号：CN105954826A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610469385.5
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3025
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108802872B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810692087.1
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制备方法，包括透光基底以及位于基底上的金属层；金属层由晶胞单元阵列组成；晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构；手性结构由Z型结构单元阵列构成；其中，线偏振片的透过率为85%以上，消光比50dB以上；右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%，左旋圆偏振光的透过率为4%，圆二向色性可以达到56%，可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108897088B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810692085.2
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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