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公开(公告)号：CN108897088A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810692085.2
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm-1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108845384A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810691569.5
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm-1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm-1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108802872A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810692087.1
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: G02B5/008 , G02B5/3058 , G02B27/28
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制备方法，包括透光基底以及位于基底上的金属层；金属层由晶胞单元阵列组成；晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构；手性结构由Z型结构单元阵列构成；其中，线偏振片的透过率为85%以上，消光比50dB以上；右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%，左旋圆偏振光的透过率为4%，圆二向色性可以达到56%，可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106019451B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610560622.9
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制备方法,包括透光基底以及位于基底上的金属层;金属层由晶胞单元阵列组成;晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和个手性结构;手性结构由Z型结构单元阵列构成;其中,线偏振片的透过率为85%以上,消光比50dB以上;右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%,左旋圆偏振光的透过率为4%,圆二向色性可以达到56%,可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106154388B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610746267.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器及其制备方法，包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108845384B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810691569.5
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105954826B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610469385.5
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm ‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106054297A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610619311.5
申请日：2016-08-01
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/18
CPC classification number: G02B5/1876
Abstract: 本发明公开了一种大视场衍射光子筛，直径为D，包括透明平面基底和镀在该透明平面基底上的不透光金属薄膜，所述不透光金属薄膜上设有环带状分布的通光小孔，所述通光小孔的位置分布满足方程其中，f为光子筛的焦距，n为通光环带的环带序列，λ为光子筛的工作波长，R为光子筛的半径，η为小孔分布的操控系数，xm和ym是光子筛第m个小孔的中心位置，m＝1,2,3,…,num，其中通光环带半径约为小孔半径本发明提出的大视场衍射光子筛的最终成像对离轴像差不敏感，可以在大的视场范围内清晰成像，与传统光子筛相比，在相同数值孔径下的视场角度有明显的拓展。
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公开(公告)号：CN105954826A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610469385.5
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3025
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108802872B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810692087.1
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制备方法，包括透光基底以及位于基底上的金属层；金属层由晶胞单元阵列组成；晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构；手性结构由Z型结构单元阵列构成；其中，线偏振片的透过率为85%以上，消光比50dB以上；右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%，左旋圆偏振光的透过率为4%，圆二向色性可以达到56%，可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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