基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器

    公开(公告)号:CN108845385A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810692086.7

    申请日:2016-09-08

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法,包括基底、过渡层以及像素层;像素层由超像素结构单元阵列组成;超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅;双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成;介质光栅的周期为260nm-300nm,占空比为0.5-0.7,厚度为90nm-110nm;金属层的厚度为70nm-90nm;在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷。

    全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件的制备方法

    公开(公告)号:CN108845384A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810691569.5

    申请日:2016-08-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法,偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层;介质层由超像素单元阵列组成;超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成;其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm-1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圆二色性在1.50μm-1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。

    全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件

    公开(公告)号:CN106154388B

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201610746267.4

    申请日:2016-08-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器及其制备方法,包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层;介质层由超像素单元阵列组成;超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成;其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。

    一种裸眼3D显示装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118444494A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202310081167.4

    申请日:2023-02-03

    Abstract: 本发明提供一种裸眼3D显示装置,包括光源、背光屏幕和显示屏幕;所述背光屏幕设置在所述光源的出射光路上,所述显示屏幕设置在所述背光屏幕的出射光路上,所述背光屏幕上形成有多组像素阵列,每组所述像素阵列包括多个像素,每个所述像素包括微纳结构,用于将入射光线衍射至对应的视点;所述显示屏幕用于提供多视角图像,以及对来自所述背光屏幕提供的入射光线进行振幅调制,根据所述多视角图像和调制后的入射光线生成3D立体影像进行显示。实现具有光源兼容性高、光源利用效率更高效、制作难度更低、无视觉疲劳、宽色域和大幅面等优点的裸眼3D显示装置。

    全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件的制备方法

    公开(公告)号:CN108845384B

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201810691569.5

    申请日:2016-08-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法,偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层;介质层由超像素单元阵列组成;超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成;其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。

    基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器

    公开(公告)号:CN106199814B

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201610810350.3

    申请日:2016-09-08

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器,包括基底、过渡层以及像素层;像素层由超像素结构单元阵列组成;超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅;双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成;介质光栅的周期为260nm‑300nm,占空比为0.5‑0.7,厚度为90nm‑110nm;金属层的厚度为70nm‑90nm;在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷。

    基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器

    公开(公告)号:CN106199814A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610810350.3

    申请日:2016-09-08

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: G02B5/3058

    Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器,包括基底、过渡层以及像素层;像素层由超像素结构单元阵列组成;超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅;双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成;介质光栅的周期为260nm-300nm,占空比为0.5-0.7,厚度为90nm-110nm;金属层的厚度为70nm-90nm;在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷。

    全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN106154388A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610746267.4

    申请日:2016-08-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器及其制备方法,包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层;介质层由超像素单元阵列组成;超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成;其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。

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