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公开(公告)号：CN107290059A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710572343.9
申请日：2015-09-25
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: G01J4/00 , G01J2004/001 , G03F7/16 , G03F7/42 , G03F7/70383
Abstract: 本发明提供了一种含阿基米德螺旋线的亚波长圆偏振光检偏器的制备方法，能够实现对左右旋圆偏振光的区分，该结构包括无机基片、设于无机基片上的二维阿基米德螺旋线和覆盖于二氧化硅基片和二维阿基米德螺旋线表面的金属膜层；本发明的检偏器在3.75um-6.0um波段圆二色性平均在0.1以上，在3.85um处圆二色性最高可达到0.16，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108845385A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810692086.7
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法，包括基底、过渡层以及像素层；像素层由超像素结构单元阵列组成；超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅；双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成；介质光栅的周期为260nm-300nm，占空比为0.5-0.7，厚度为90nm-110nm；金属层的厚度为70nm-90nm；在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷。
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公开(公告)号：CN108845384A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810691569.5
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm-1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm-1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108802872A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810692087.1
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: G02B5/008 , G02B5/3058 , G02B27/28
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制备方法，包括透光基底以及位于基底上的金属层；金属层由晶胞单元阵列组成；晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构；手性结构由Z型结构单元阵列构成；其中，线偏振片的透过率为85%以上，消光比50dB以上；右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%，左旋圆偏振光的透过率为4%，圆二向色性可以达到56%，可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106019451B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610560622.9
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制备方法,包括透光基底以及位于基底上的金属层;金属层由晶胞单元阵列组成;晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和个手性结构;手性结构由Z型结构单元阵列构成;其中,线偏振片的透过率为85%以上,消光比50dB以上;右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%,左旋圆偏振光的透过率为4%,圆二向色性可以达到56%,可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106154388B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610746267.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器及其制备方法，包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN104880754B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510199322.8
申请日：2015-04-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种亚波长三维螺旋圆偏振滤光片及其制作方法，该圆偏振滤光片的制作方法包括如下步骤：（1）在二氧化硅基片上旋涂光刻胶；（2）采用激光直写系统直接在光刻胶上写出三维螺旋纳米柱结构并进行显影；（3）通入氧气，采用反应离子束进行刻蚀，去除残余光刻胶；（4）在转移好的二氧化硅基片及三维螺旋纳米柱结构上采用磁控溅射方法镀上金属薄膜层。本发明能够实现对左右旋圆偏振光的区分，并具有结构简单，易于制作的特点。
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公开(公告)号：CN104880754A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510199322.8
申请日：2015-04-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/20
CPC classification number: G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种亚波长三维螺旋圆偏振滤光片及其制作方法，该圆偏振滤光片的制作方法包括如下步骤：（1）在二氧化硅基片上旋涂光刻胶；（2）采用激光直写系统直接在光刻胶上写出三维螺旋纳米柱结构并进行显影；（3）通入氧气，采用反应离子束进行刻蚀，去除残余光刻胶；（4）在转移好的二氧化硅基片及三维螺旋纳米柱结构上采用磁控溅射方法镀上金属薄膜层。本发明能够实现对左右旋圆偏振光的区分，并具有结构简单，易于制作的特点。
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公开(公告)号：CN108897088A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810692085.2
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件的制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm-1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105181144B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510620015.2
申请日：2015-09-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种含阿基米德螺旋线的亚波长圆偏振光检偏器及其制备方法，能够实现对左右旋圆偏振光的区分，该结构包括无机基片、设于无机基片上的二维阿基米德螺旋线和覆盖于二氧化硅基片和二维阿基米德螺旋线表面的金属膜层；本发明的检偏器在3.75um‑6.0um波段圆二色性平均在0.1以上，在3.85um处圆二色性最高可达到0.16，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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