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公开(公告)号：CN102047427A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120176.8
申请日：2009-05-12
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor： 野崎秀俊
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629
Abstract: 一种图像传感器(100)包括在集成电路的衬底(101)中形成的感光区域(102、104、106)。该衬底具有在衬底的表面上形成的第一金属层(m1)，因此该第一金属层限定具有第一孔宽度的第一孔，入射光在照射该感光区域之前穿过该第一孔。该第一孔宽度等于或小于位于该第一孔下方的感光区域的宽度。该衬底还具有在该第一金属层上形成的第二金属层(tn2)。第二孔的第二孔宽度比该第一孔宽度宽。第一孔和第二孔将入射光聚焦于该感光区域之上。
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公开(公告)号：CN101939841A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104585.9
申请日：2009-02-02
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像感测器像素(400)，其包括：一光电二极体(420)区域；及像素电路(430)。该光电二极体区域是布置在一半导体晶粒中，用于回应于入射在该BSI成像感测器像素的一背侧上的光而蓄积一影像电荷。该像素电路包含电晶体像素电路，该像素电路是布置在该半导体晶粒的一前侧与该光电二极体区域之间的该半导体晶粒中。该像素电路的至少一部分重迭于该光电二极体区域。
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公开(公告)号：CN102097445B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010550429.X
申请日：2010-11-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/148 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1464
Abstract: 本发明揭示具有置于衬底中的像素阵列的一种图像传感器。每个像素包括光敏元件、滤色片及波导壁。这些波导壁置于滤色片中且围绕部分滤色片以通过该滤色片形成波导。这些波导壁的折射率比滤色片的折射率小。图像传感器可以是背面照明(BSI)或者是正面照明(FSI)的。在一些实施例中，金属壁可耦合至波导壁。
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公开(公告)号：CN101939839B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880126428.3
申请日：2008-12-23
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1464 , H01L27/14649 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种背面受光成像传感器，其包括具有P-型区的半导体层。正面及背面P+掺杂层形成于该半导体层内。具有光电二极管的成像像素形成于该半导体层内，其中该光电二极管是在该半导体层的P-型区内、于该正面P+掺杂层与该背面P+层之间形成的N-区。
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公开(公告)号：CN102237379A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010258867.9
申请日：2010-08-18
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及包含具有按比例调整的宽度的金属反射器的图像传感器。根据所公开的实施例的图像传感器包括成像像素阵列、绝缘体层和多个金属反射器。成像像素阵列安置于半导体层内，成像像素阵列中的每个成像像素包括被构造成接收来自图像传感器的背面的光的光敏元件。绝缘体层安置于半导体层的正面，所述多个金属反射器安置于绝缘体层内以将光反射至各个光敏元件。所述多个金属反射器中每一者的宽度等于该阵列的中心处的金属反射器的宽度乘以比例因子，其中该比例因子取决于该金属反射器离该阵列的中心的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097445A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010550429.X
申请日：2010-11-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/148 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1464
Abstract: 本发明揭示具有置于衬底中的像素阵列的一种图像传感器。每个像素包括光敏元件、滤色片及波导壁。这些波导壁置于滤色片中且围绕部分滤色片以通过该滤色片形成波导。这些波导壁的折射率比滤色片的折射率小。图像传感器可以是背面照明(BSI)或者是正面照明(FSI)的。在一些实施例中，金属壁可耦合至波导壁。
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公开(公告)号：CN102047427B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200980120176.8
申请日：2009-05-12
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor： 野崎秀俊
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629
Abstract: 一种图像传感器(100)包括在集成电路的衬底(101)中形成的感光区域(102、104、106)。该衬底具有在衬底的表面上形成的第一金属层(m1)，因此该第一金属层限定具有第一孔宽度的第一孔，入射光在照射该感光区域之前穿过该第一孔。该第一孔宽度等于或小于位于该第一孔下方的感光区域的宽度。该衬底还具有在该第一金属层上形成的第二金属层(tn2)。第二孔的第二孔宽度比该第一孔宽度宽。第一孔和第二孔将入射光聚焦于该感光区域之上。
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公开(公告)号：CN101939841B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200980104585.9
申请日：2009-02-02
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像传感器像素(400)，其包括：光电二极管(420)区域；及像素电路(430)。该光电二极管区域被布置在半导体管芯中，用于响应于入射在该BSI成像传感器像素的背侧上的光而累积图像电荷。该像素电路包含晶体管像素电路，该像素电路是布置在该半导体管芯的前侧与该光电二极管区域之间的该半导体管芯中。该像素电路的至少一部分与该光电二极管区域重迭。
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公开(公告)号：CN102376730A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110245139.9
申请日：2011-08-18
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/148 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L29/1079 , H01L29/1083 , H01L29/66537 , H01L2924/12043
Abstract: 本发明涉及嵌入传送栅。本文所公开的图像传感器像素包括：半导体层、用于累积光生电荷的感光区、浮动节点、沟槽及嵌入传送栅。该感光区及该沟槽安置于该半导体层内。该沟槽延伸至该半导体层中、介于该感光区与该浮动节点之间，且该嵌入传送栅安置于该沟槽内以控制该光生电荷自该感光区至该浮动节点的传送。
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公开(公告)号：CN101997016A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010250961.X
申请日：2010-08-09
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14616
Abstract: 本发明涉及具有含多个沟道子区域的传输栅极的图像传感器，并公开了一种图像传感器像素，其包括光敏元件、浮动扩散区域及传输晶体管沟道区域。传输晶体管沟道区域布置于感光区域与浮动扩散区域之间。传输晶体管沟道区域包括具有第一掺杂浓度的第一沟道子区域及具有第二掺杂浓度的第二沟道子区域，第二掺杂浓度不同于第一掺杂浓度。
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