公开(公告)号：CN103503116A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280018861.1

申请日：2012-03-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 山·D·唐 ,  斯科特·E·西里斯 ,  惠特尼·L·韦斯特 ,  罗布·B·古德温 ,  尼尚特·辛哈

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L45/1266 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/53252 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L45/14

Abstract: 本发明揭示形成半导体结构和存储器单元的例如互连件和电极等导电元件的方法。所述方法包括：在至少一个开口的一部分中形成第一导电材料和包含银的第二导电材料；以及执行抛光工艺，从而以所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者填充所述至少一个开口。可执行退火工艺以形成银与材料的混合物或合金。所述方法使得能够形成具有减小的尺寸(例如，小于约20nm)的含银导电元件。所得导电元件具有所要的电阻率。举例来说，所述方法可用于形成用于电连接有源装置的互连件且用于形成存储器单元的电极。还揭示包括此导电结构的半导体结构和存储器单元。

公开(公告)号：CN107275282A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710243903.6

申请日：2012-03-13

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 山·D·唐 ,  斯科特·E·西里斯 ,  惠特尼·L·韦斯特 ,  罗布·B·古德温 ,  尼尚特·辛哈

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1266 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/53252 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示形成至少一个导电元件的方法，形成半导体结构的方法，形成存储器单元的方法以及相关的半导体结构。所述方法包括：在至少一个开口的一部分中形成第一导电材料和包含银的第二导电材料；以及执行抛光工艺，从而以所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者填充所述至少一个开口。可执行退火工艺以形成银与材料的混合物或合金。所述方法使得能够形成具有减小的尺寸(例如，小于约20nm)的含银导电元件。所得导电元件具有所要的电阻率。举例来说，所述方法可用于形成用于电连接有源装置的互连件且用于形成存储器单元的电极。还揭示包括此导电结构的半导体结构和存储器单元。