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公开(公告)号：CN117088795A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310561110.4
申请日：2023-05-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C07C317/22 , C07C69/92 , G03F7/004
Abstract: 一种由式(1)表示的化合物：其中，X是具有为r的化合价的基团；每个R1独立地是包含酸不稳定基团的有机基团；m是大于或等于1的整数；k是1至5的整数；并且r是2至10的整数，其中该化合物是非聚合的，并且其中Ar1、L1、L2、R2和R3如本文所定义。
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公开(公告)号：CN107168013A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710106431.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC classification number: G03F7/425 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/02057 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , G03F7/168 , G03F7/0397
Abstract: 修整光致抗蚀剂图案的方法包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50重量％或更多的一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN107168014A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710107087.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/405 , G03F1/40 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/325 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , G03F7/168
Abstract: 光致抗蚀剂图案修整组合物包含：可溶于0.26当量浓度氢氧化四甲基铵水溶液中的聚合物；和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50到98重量％的一种或多种单醚溶剂。所述组合物尤其适用于制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN112661877B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202010976510.8
申请日：2020-09-16
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C08F8/00 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F7/004 , G03F7/00
Abstract: 公开了一种聚合物，其包含：含有叔酯酸不稳定基团的第一重复单元；以及具有式(1)的第二重复单元： 其中R1至R5是如本文所提供的；R2和R3不一起形成环；每个A独立地是卤素、羧酸或酯、硫醇、直链或支链的C1‑20烷基、单环或多环的C3‑20环烷基、单环或多环的C3‑20氟环烯基、单环或多环的C3‑20杂环烷基、单环或多环的C6‑20芳基、或单环或多环的C4‑20杂芳基，其中的每一个是取代或未取代的；并且m是0至4的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115894243A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211212376.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C07C69/90 , C07C69/92 , C07C67/11 , C07C67/31 , C07C67/08 , C07C69/84 , C08F212/14 , C08F220/32 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/24 , G03F7/004
Abstract: 公开了一种包含芳香族基团或杂芳香族基团的化合物，其中该芳香族基团或该杂芳香族基团包括包含烯键式不饱和双键的第一取代基、为碘原子的第二取代基和包含酸不稳定基团的第三取代基，其中该第一取代基、该第二取代基和该第三取代基各自键合到芳香族基团或杂芳香族基团的不同碳原子上。
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公开(公告)号：CN107168013B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710106431.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 修整光致抗蚀剂图案的方法包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50重量％或更多的一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN109417130A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780026749.5
申请日：2017-03-23
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯公司 , 伊利诺伊大学评议会 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 提供一种光电装置，其包括光电元件和连接到所述光电元件的电路，其中所述光电元件包括多个量子点或多个纳米棒，并且其中所述电路被配置为能够在其中所述电路提供使所述光电元件发光的有效正向偏压的配置与其中所述电路提供使所述光电元件能够在所述光电元件敏感的光撞击所述光电元件时生成光电流的有效反向偏压的配置之间切换所述光电元件。
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公开(公告)号：CN118027269A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311493036.3
申请日：2023-11-10
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C08F212/14 , G03F7/00 , G03F7/20 , C08F220/18 , C08F220/30 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及聚合物、包含其的光致抗蚀剂组合物以及图案形成方法。公开了一种聚合物，其包含衍生自由式(1)表示的第一单体的第一重复单元；以及包含酸不稳定基团、羟芳基、磺酰胺基团、氟醇基团、或其组合的第二重复单元，其中，在式(1)中，P是包含烯键式不饱和碳‑碳双键的可聚合基团；L1是单键或连接基团；Ar是取代或未取代的C6‑30芳香族基团或取代或未取代的C4‑30杂芳香族基团；X是O或S；A是选自‑O‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑S(O)2‑、‑C(O)‑、‑C(S)‑、或‑N(Ra)‑的基团；Ra是氢或非氢取代基；并且R1和R2各自是如本文中所定义的，其中该第一重复单元和该第二重复单元在结构上不同。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116891409A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310318419.0
申请日：2023-03-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C07C57/44 , G03F7/20 , C07C59/52 , C07C57/56 , C07C59/46 , C07C59/56 , C07C57/60 , C07C255/41 , C07C69/618 , C07C69/76 , C07C233/11 , C07D207/327 , C07D209/86 , C07D307/54 , C07D307/79 , C07D209/18 , C07D213/55 , C07D213/57 , C07D309/04 , C07D311/04 , C07D335/06 , C07D215/12 , C07C57/42 , C07C59/64 , C07C43/30 , C07C59/70 , C07C271/28 , C07C229/44 , C07D333/60 , G03F7/025 , G03F7/027
Abstract: 一种具有式(1a)或(1b)的光活性化合物：其中R1是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C3‑30杂环烷基、取代或未取代的C6‑30芳基、或包含选自氮、氧或其组合的芳香族环杂原子的取代或未取代的C3‑30杂芳基；R2和R3是如本文所提供的；R4是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C3‑30杂环烷基、取代或未取代的C6‑30芳基、或取代或未取代的C3‑30杂芳基；并且M+是有机阳离子。#imgabs0#
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