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公开(公告)号：CN109856911B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201811424699.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/031 , C07C395/00 , C07D345/00
Abstract: 提供新型Te盐，其包括适用于极紫外光刻的光活性碲盐化合物。
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公开(公告)号：CN106632918B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610640174.3
申请日：2016-08-05
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 昆士兰大学
IPC: C08F293/00 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/38 , C08F220/28 , C08F8/00 , G03F7/004
CPC classification number: C08F293/00 , C08F220/22 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C09D153/00 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , G03F7/11 , G03F7/2004 , G03F7/2059 , G03F7/322 , C08F2220/283 , C08F2220/1866 , C08F2220/382 , C08F2220/185
Abstract: 本发明涉及一种适用于电子束和远紫外线光刻的嵌段共聚物，其包括具有来源于碱溶解度增强型单体和频带外吸收型单体的单元的第一嵌段，和具有低表面能的第二嵌段。来源于频带外吸收型单体的重复单元允许共聚物在150到400纳米波长范围内大量吸收。当与光致抗蚀剂无规聚合物一起并入光致抗蚀剂组合物中时，所述嵌段共聚物自动分离以形成可有效屏蔽频带外辐射的顶层。
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公开(公告)号：CN106432625B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610632842.8
申请日：2016-08-04
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 昆士兰大学
IPC: C08F283/06 , C08F220/14 , C08F220/22 , G03F7/20 , C09D151/08
Abstract: 通过使包括紫外光吸收型单体以及碱溶解度增强型单体的单体聚合来制备共聚物。所述共聚物适用于形成电子束以及远紫外平版印刷术用的面涂层。还描述包括所述面涂层的层状制品以及形成电子器件的相关方法。
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公开(公告)号：CN109928904A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811397335.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C07C395/00 , C07D345/00 , G03F7/027 , G03F7/004
Abstract: 提供了新型Te-两性离子化合物，包含可用于极紫外光刻的光活性碲盐化合物。
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公开(公告)号：CN105742234A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/76837
Abstract: 形成电子装置的方法包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；以及(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105511228A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510649917.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/00 , C08F220/26 , C08F220/06
Abstract: 光致抗蚀剂组合物包括第一聚合物，其中至少一半的重复单元是光酸产生重复单元；和第二聚合物，其在酸的作用下在碱性显影剂中展现溶解度的变化。在所述第一聚合物中，所述光酸产生重复单元中的每一个包含光酸产生官能团和碱溶解度增强官能团。
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公开(公告)号：CN115373221A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211143472.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30 , C07D345/00 , C07C395/00 , C08F30/00
Abstract: 单体、聚合物和包含其的光刻组合物。提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包含：a)一种或多种聚合物，所述聚合物包括：单体的一个或多个重复单元，所述单体包括碲吩杂环和一个或多个烯系可聚合基团，或者一种或多种聚合物，所述聚合物包括式(IIIC)表示的单体的一个或多个重复单元；和b)一种或多种酸产生剂化合物，
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公开(公告)号：CN114253071A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111117990.3
申请日：2021-09-22
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 光致抗蚀剂组合物包含：第一聚合物，其包含含有羟基‑芳基基团的第一重复单元和含有酸不稳定基团的第二重复单元，其中，所述第一聚合物不包含内酯基团；第二聚合物，其包含含有羟基‑芳基基团的第一重复单元、含有酸不稳定基团的第二重复单元、和含有内酯基团的第三重复单元；光酸产生剂；以及溶剂。
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公开(公告)号：CN109856911A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811424699.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/031 , C07C395/00 , C07D345/00
Abstract: 提供新型Te盐，其包括适用于极紫外光刻的光活性碲盐化合物。
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公开(公告)号：CN108690164A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810184950.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C08F220/32 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/38 , C08F220/18 , C07C69/54 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C69/653 , C08F220/28 , C08F2220/283 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , C07C69/54 , C08F220/32 , G03F7/00 , C08F2220/1891 , C08F220/24 , C08F220/22 , C08F2220/382
Abstract: 一种具有式(I)的单体：其中在式(I)中，基团和变量与本说明书中所述相同。
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