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    间隙填充方法
    1.
    发明授权
    间隙填充方法 有权

    公开(公告)号：CN109786223B

    公开(公告)日：2023-10-27

    申请号：CN201811331123.8

    申请日：2018-11-09

    Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

    Inventor： J·F·卡梅伦 ,  K·张 ,  崔莉 ,  D·格林 ,  山田晋太郎

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  C07C45/69 ,  C07C49/753

    Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供半导体装置衬底，所述衬底的表面上具有浮雕图像，所述浮雕图像具有多个待填充的间隙；将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层，其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物，其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体，和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元；其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PDI，以及1:>1的总第一单体比总第二单体的摩尔比；和(ii)一种或多种有机溶剂；固化所述涂层以形成聚亚芳基膜；使所述聚亚芳基膜图案化；以及将所述图案转移至所述半导体装置衬底。

    涂覆组合物和形成电子装置的方法
    4.
    发明授权
    涂覆组合物和形成电子装置的方法 有权

    公开(公告)号：CN113589646B

    公开(公告)日：2024-11-08

    申请号：CN202110462902.7

    申请日：2021-04-22

    Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

    Inventor： 刘盛 ,  J·F·卡梅伦 ,  柯佑昇 ,  山田晋太郎 ,  崔莉

    IPC: G03F7/004 ,  G03F7/025 ,  G03F7/09 ,  G03F1/56

    Abstract: 一种涂覆组合物和形成电子装置的方法。涂覆组合物包含：一种或多种化合物的B阶段反应产物，所述化合物包含选自C6‑50碳环芳香族、C2‑50杂环芳香族、C1‑20脂肪族、C1‑20杂脂肪族、C3‑20脂环族和C2‑20杂脂环族的核；附接到核的两个或更多个式(1)取代基，其中Ar1是独立选自C6‑50碳环芳香族和C2‑50杂芳香族的芳香族基团；Z独立选自OR1、受保护羟基、羧基、受保护羧基、SR1、受保护巯基、‑O‑C(＝O)‑C1‑6烷基、卤素和NHR2；每个R1独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基和C5‑30芳基；每个R2独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基、C5‑30芳基、C(＝O)‑R1和S(＝O)2‑R1；x是1至Ar1中可用芳香族环原子总数的整数；*指示与核的附接点；以及一种或多种溶剂。所述方法包括提供电子装置基底，涂覆所述涂覆组合物，固化。#imgabs0#

    用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物
    8.
    发明公开
    用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物 失效

    公开(公告)号：CN114196293A

    公开(公告)日：2022-03-18

    申请号：CN202110934022.5

    申请日：2021-08-13

    Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

    Inventor： J·凯茨 ,  刘盛 ,  崔莉 ,  山田晋太郎 ,  S·M·科莱 ,  L-S·科

    IPC: C09D165/00 ,  C08G61/12

    Abstract: 一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：其中Ar是单环或多环C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；R1是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基；并且R2是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基，其中R1和R2可以任选地一起形成环。

    涂覆组合物和形成电子装置的方法
    9.
    发明公开
    涂覆组合物和形成电子装置的方法 有权

    公开(公告)号：CN113589646A

    公开(公告)日：2021-11-02

    申请号：CN202110462902.7

    申请日：2021-04-22

    Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

    Inventor： 刘盛 ,  J·F·卡梅伦 ,  柯佑昇 ,  山田晋太郎 ,  崔莉

    IPC: G03F7/004 ,  G03F7/025 ,  G03F7/09 ,  G03F1/56

    Abstract: 一种涂覆组合物和形成电子装置的方法。涂覆组合物包含：一种或多种化合物的B阶段反应产物，所述化合物包含选自C6‑50碳环芳香族、C2‑50杂环芳香族、C1‑20脂肪族、C1‑20杂脂肪族、C3‑20脂环族和C2‑20杂脂环族的核；附接到核的两个或更多个式(1)取代基，其中Ar1是独立选自C6‑50碳环芳香族和C2‑50杂芳香族的芳香族基团；Z独立选自OR1、受保护羟基、羧基、受保护羧基、SR1、受保护巯基、‑O‑C(＝O)‑C1‑6烷基、卤素和NHR2；每个R1独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基和C5‑30芳基；每个R2独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基、C5‑30芳基、C(＝O)‑R1和S(＝O)2‑R1；x是1至Ar1中可用芳香族环原子总数的整数；*指示与核的附接点；以及一种或多种溶剂。所述方法包括提供电子装置基底，涂覆所述涂覆组合物，固化。

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