公开(公告)号：CN116376387A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211631201.2

申请日：2022-12-19

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： I·考尔 ,  D·H·康 ,  刘聪

IPC: C09D133/16 ,  C08F120/38 ,  C08F120/22 ,  C08F220/38 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/36 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 光致抗蚀剂面漆组合物包含：氟化的第一聚合物、第二聚合物、以及包含酯溶剂和一种或多种附加的有机溶剂的基于有机物的溶剂体系，其中该组合物基本上不含光酸产生剂化合物。本发明特别适用于制造半导体装置。

公开(公告)号：CN113121734B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202011398527.6

申请日：2020-12-02

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： J·K·朴 ,  E·阿卡德 ,  宋旸 ,  C·吴 ,  刘聪 ,  李明琦

IPC: C08F212/14 ,  C08F212/08 ,  C08F220/18 ,  C08F8/00 ,  G03F7/004

Abstract: 公开了一种包含以下的聚合物：第一重复单元，其衍生自包含羟基‑芳基的单体；第二重复单元，其衍生自包含用缩醛或缩酮基团保护的羟基‑芳基的单体；第三重复单元，其衍生自包含脂环族基团的(甲基)丙烯酸酯单体；以及第四重复单元，其衍生自包含酸敏感基团的单体，其中所述第一重复单元、所述第二重复单元、所述第三重复单元以及所述第四重复单元彼此不同。

公开(公告)号：CN113126439A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011498811.0

申请日：2020-12-17

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 ,  罗门哈斯电子材料韩国有限公司

Inventor： C-B·徐 ,  刘聪 ,  J·F·卡梅伦 ,  林载峰 ,  侯希森 ,  沈载桓

IPC: G03F7/115 ,  G03F7/075 ,  G03F7/004

Abstract: 图案形成方法包括：(a)在基底上形成底层，其中所述底层的厚度为5微米或更大；(b)在所述底层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂，其中所述含硅聚合物包含作为聚合单元的式(I)的单体：其中：R1独立地选自H、F、OH、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6羟基‑卤代烷基、C1‑C6烷氧基、或C1‑C6卤代烷氧基；R2独立地选自H或F；R3独立地选自H、F、CH3、CF3、CHF2、或CH2F；R4包括酸可裂解基团；并且m是0至2的整数；(c)将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；(d)使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案；以及(f)使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模将所述光致抗蚀剂图案的图案转印到所述底层中。本发明特别适用于形成在半导体器件的形成中使用的三维图案如阶梯图案。

公开(公告)号：CN113121734A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011398527.6

申请日：2020-12-02

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： J·K·朴 ,  E·阿卡德 ,  宋旸 ,  C·吴 ,  刘聪 ,  李明琦

IPC: C08F212/14 ,  C08F212/08 ,  C08F220/18 ,  C08F8/00 ,  G03F7/004

Abstract: 公开了一种包含以下的聚合物：第一重复单元，其衍生自包含羟基‑芳基的单体；第二重复单元，其衍生自包含用缩醛或缩酮基团保护的羟基‑芳基的单体；第三重复单元，其衍生自包含脂环族基团的(甲基)丙烯酸酯单体；以及第四重复单元，其衍生自包含酸敏感基团的单体，其中所述第一重复单元、所述第二重复单元、所述第三重复单元以及所述第四重复单元彼此不同。

公开(公告)号：CN107793335A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710744796.5

申请日：2017-08-25

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： E·阿卡德 ,  W·威廉姆斯三世 ,  刘聪

IPC: C07C309/12 ,  C07D303/40 ,  C07D519/00 ,  C07D333/76 ,  C07C381/12 ,  C07D335/16 ,  C07D339/08 ,  C07D327/08 ,  C07D317/34 ,  C07D317/72 ,  C07D409/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  C08F220/28 ,  C08F220/18

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C69/753 ,  C07C303/32 ,  C07C309/00 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2102/42 ,  C07C2103/74 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  C07D303/40 ,  C07D317/34 ,  C07D317/72 ,  C07D327/08 ,  C07D333/76 ,  C07D335/16 ,  C07D339/08 ,  C07D409/12 ,  C07D493/18 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  C07D519/00 ,  C08F220/28 ,  C08F2220/282 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  C08F220/18 ,  C08F2220/281

Abstract: 一种光酸生成化合物，其具有以下结构其中R1、R2、R3、R4、Q和X如本文所定义。所述光酸生成化合物可以用作光致抗蚀剂组合物的组分，或用作并入到可用于光致抗蚀剂组合物中的聚合物中的单体。所述光酸生成化合物提供所需的溶解度和线宽粗糙度的平衡。

公开(公告)号：CN108803236B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810396587.0

申请日：2018-04-27

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： 侯希森 ,  刘聪 ,  I·考尔

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 一种图案形成方法，包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案外涂层组合物，其中所述图案外涂层组合物包含第二聚合物和有机溶剂，其中所述有机溶剂包含一种或多种酯溶剂，其中所述酯溶剂具有式R1‑C(O)O‑R2，其中R1是C3‑C6烷基并且R2是C5‑C10烷基；(d)烘烤经涂布的所述光致抗蚀剂图案；和(e)用冲洗剂冲洗所述经涂布的光致抗蚀剂图案以去除所述第二聚合物。所述方法尤其适用于制造半导体装置。

公开(公告)号：CN112661877A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010976510.8

申请日：2020-09-16

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： 宋旸 ,  朴钟根 ,  E·阿卡德 ,  李明琦 ,  刘聪 ,  J·W·萨克莱 ,  P·特雷福纳斯三世

IPC: C08F8/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 公开了一种聚合物，其包含：含有叔酯酸不稳定基团的第一重复单元；以及具有式(1)的第二重复单元：其中R1至R5是如本文所提供的；R2和R3不一起形成环；每个A独立地是卤素、羧酸或酯、硫醇、直链或支链的C1‑20烷基、单环或多环的C3‑20环烷基、单环或多环的C3‑20氟环烯基、单环或多环的C3‑20杂环烷基、单环或多环的C6‑20芳基、或单环或多环的C4‑20杂芳基，其中的每一个是取代或未取代的；并且m是0至4的整数。

公开(公告)号：CN117945957A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410120700.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： E·阿卡德 ,  W·威廉姆斯三世 ,  刘聪

IPC: C07C309/12 ,  C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  G03F7/004 ,  C07D303/40 ,  C07D519/00 ,  C07D333/76 ,  C07C381/12 ,  C07D335/16 ,  C07D339/08 ,  C07D327/08 ,  C07D317/34 ,  C07D317/72 ,  C07D409/12 ,  G03F7/027

Abstract: 光酸生成化合物和相关聚合物，光致抗蚀剂组合物，和形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法。提供了一种光酸生成化合物，其具有以下结构#imgabs0#

公开(公告)号：CN114063385A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110793744.3

申请日：2021-07-13

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： T·卡多拉西亚 ,  J·A·迪西斯托 ,  李忠奉 ,  李明琦 ,  T·马兰戈尼 ,  C·吴 ,  刘聪 ,  G·P·普罗科普威克

IPC: G03F7/004

Abstract: 本文公开了一种光致抗蚀剂组合物，其包含：通过自由基聚合形成的第一聚合物，所述第一聚合物包含由包含烯属不饱和双键和酸不稳定基团的单体形成的聚合单元；光酸产生剂；具有式(1)的淬灭剂：其中：R1独立地是氢原子，C1‑C20直链、C3‑C20支链或C3‑20环状烷基——所述烷基除在相对于酰胺C(O)的α‑位置之外任选地包含‑O‑基团，或C6‑C20芳基；R2独立地是氢原子，C1‑C20直链、C3‑C20支链或C3‑C20环状烷基，或C6‑C20芳基；L是C1‑C20直链或C3‑C20支链的亚烷基，所述亚烷基包含独立地选自‑O‑、‑S‑或‑N(R3)‑的一个或多个含杂原子的基团，其中R3选自氢原子或C1‑C20直链或C3‑C20支链或环状烷基；R1、R2和L中的每一个可独立地是取代或未取代的；其中所述淬灭剂不含可交联的基团；以及溶剂。

公开(公告)号：CN110658678B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201910583165.9

申请日：2019-07-01

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： I·考尔 ,  刘聪 ,  D·康 ,  C·吴

IPC: G03F7/004

Abstract: 光致抗蚀剂面漆组合物包含：基质聚合物和表面活性聚合物，其中所述表面活性聚合物包含具有以下通式(I)的聚合单元：#imgabs0#其中：R1表示氢原子、卤素原子、C1‑C4烷基、或C1‑C4卤代烷基；R2独立地表示氢原子或任选取代的烷基，其中至少一个R2不是氢原子，其中所述R2基团一起任选地形成环状结构，并且其中所述R2基团一起的总碳原子数是从2至20；R3表示任选取代的C1‑C4亚烷基，其中R2基团任选地与R3形成环状结构；并且R4独立地表示C1‑C4氟烷基；其中总的具有通式(I)的聚合单元以基于所述表面活性聚合物的总聚合单元95wt％或更多的量存在于所述表面活性聚合物中；并且其中所述表面活性聚合物以基于所述组合物的总固体从0.1wt％至30wt％的量存在于所述组合物中；以及包含多种有机溶剂的基于有机溶剂的体系。本发明特别适用于制造半导体装置。