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公开(公告)号：CN112015050A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010453311.9
申请日：2020-05-26
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 光致抗蚀剂图案修整组合物包含聚合物、芳香族磺酸和基于有机物的溶剂体系，其中所述聚合物包含具有通式(I)和(II)的聚合单元：其中：X独立地表示卤素原子；Q表示单键、-O-或-C(O)O-；R1独立地表示氢、卤素原子、C1-C12烷基或C1-C12氟烷基；R2表示C1-C3烷基或C1-C3氟烷基；并且m是0至4的整数；并且其中基于所述聚合物的总聚合单元，具有通式(I)的聚合单元以10至90mol％的量存在于所述聚合物中，并且具有通式(II)的聚合单元以10至60mol％的量存在于所述聚合物中。所述光致抗蚀剂图案修整组合物及其在图案形成方法中的使用特别适用于半导体装置的制造。
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公开(公告)号：CN107168013B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710106431.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 修整光致抗蚀剂图案的方法包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50重量％或更多的一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN108267932A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711475742.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 一种图案形成方法，包含：(a)提供衬底；(b)在衬底上形成光致抗蚀剂图案；(c)向光致抗蚀剂图案施用图案处理组合物，所述图案处理组合物包含有包含第一有机溶剂和第二有机溶剂的溶剂混合物，其中第一有机溶剂的沸点超过第二有机溶剂的沸点，并且其中第一有机溶剂的沸点是210℃或更高；以及(d)随后加热光致抗蚀剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107168014A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710107087.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/405 , G03F1/40 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/325 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , G03F7/168
Abstract: 光致抗蚀剂图案修整组合物包含：可溶于0.26当量浓度氢氧化四甲基铵水溶液中的聚合物；和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50到98重量％的一种或多种单醚溶剂。所述组合物尤其适用于制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN112015048A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010418180.0
申请日：2020-05-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 光致抗蚀剂图案修整组合物包含聚合物、芳香族磺酸和基于有机溶剂的体系，其中所述芳香族磺酸具有通式(I)：其中：Ar1表示芳香族基团；R1独立地表示卤素原子、羟基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的碳环芳基、取代或未取代的杂环芳基、取代或未取代的烷氧基、或其组合，其中相邻的R1基团与Ar1一起任选地形成稠环结构；a表示2或更大的整数；并且b表示1或更大的整数，前提是a+b至少是3并且不大于Ar1的可用芳香族碳原子的总数，并且R1中的两个或更多个独立地是直接键合至芳香族环碳原子的氟原子或氟烷基。
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公开(公告)号：CN112015048B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202010418180.0
申请日：2020-05-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 光致抗蚀剂图案修整组合物包含聚合物、芳香族磺酸和基于有机溶剂的体系，其中所述芳香族磺酸具有通式(I)：#imgabs0#其中：Ar1表示芳香族基团；R1独立地表示卤素原子、羟基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的碳环芳基、取代或未取代的杂环芳基、取代或未取代的烷氧基、或其组合，其中相邻的R1基团与Ar1一起任选地形成稠环结构；a表示2或更大的整数；并且b表示1或更大的整数，前提是a+b至少是3并且不大于Ar1的可用芳香族碳原子的总数，并且R1中的两个或更多个独立地是直接键合至芳香族环碳原子的氟原子或氟烷基。
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公开(公告)号：CN107168013A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710106431.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC classification number: G03F7/425 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/02057 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , G03F7/168 , G03F7/0397
Abstract: 修整光致抗蚀剂图案的方法包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50重量％或更多的一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案。所述方法尤其适用于制造半导体装置。
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