公开(公告)号：CN113795917A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080034252.X

申请日：2020-04-08

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·M·劳腾萨克 ,  A·凯撒 ,  J·霍莫斯

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体功率模块(1)，具有第一功率晶体管(5LA)和第二功率晶体管(5LB)，第一功率晶体管(5LA)和第二功率晶体管(5LB)并联地布置在第一集电极导体迹线(11L)和第一发射极导体迹线(9L)之间，其中功率晶体管(5LA、5LB)的第一连接表面分别与第一集电极导体迹线(11L)导电连接，并且功率晶体管(5LA、5LB)的第二连接表面分别与第一发射极导体迹线(9L)导电连接，使得当功率晶体管(5LA、5LB)分别通过所施加的控制电压被导通时，在第一集电极导体迹线(11L)和第一发射极导体迹线(9L)之间流动的电流分配在两个功率晶体管(5LA、5LB)上，其中第一外部功率接触(P)在第一接触区域(KB1)处直接与第一集电极导体迹线(11)接触，其中第二外部功率接触(TL)通过第一连接元件(13)在第二接触区域(KB2)处与第一发射极导体迹线(9L)接触，并且其中第二接触区域(KB2)在机械上不对称地定位在与第一发射极导体迹线(9L)连接的功率晶体管(5LA、5LB)之间，使得在两个功率晶体管(5LA、5LB)处得到具有相同有效控制电压的电对称性。

公开(公告)号：CN119340313A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410963581.2

申请日：2024-07-18

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·霍莫斯 ,  D·施威克 ,  D·A·劳夫 ,  M·博兴 ,  P·穆勒

IPC: H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明涉及功率半导体模块。功率半导体模块具有电路载体和至少一个与电路载体连接的半导体开关、尤其是半导体开关半桥。功率半导体模块的电路载体具有电绝缘层、尤其是陶瓷层以及两个由绝缘区域、尤其是绝缘沟槽彼此分离的分别与电绝缘层连接的导电层。导电层分别与半导体开关的触点间隙接头电连接。功率半导体模块具有至少一个或仅一个金属成形体，该金属成形体与导电层连接并且构造用于，在超过预定的温度时熔化，消除绝缘区域，并且使通过绝缘区域彼此分离的导电层相互电连接、尤其是低电阻地电连接。

公开(公告)号：CN118104124A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068095.3

申请日：2022-10-06

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·格拉夫 ,  M·科特 ,  J·霍莫斯 ,  B·B·哈森伊 ,  R·里特尔 ,  T·罗萨尔 ,  M·黑尔 ,  S·斯特雷切

IPC: H02P27/08 ,  G01R15/14

Abstract: 本发明涉及一种用于电机的换流器。该换流器具有至少一个半导体开关半桥。该换流器还具有电流传感器，该电流传感器构造为根据相电流所产生的磁场来检测由所述至少一个半导体开关半桥产生的相电流。根据本发明，所述换流器具有用于为电流传感器供电的电压源。该电压源构造为向电流传感器提供、特别是以参考的方式提供相对于半导体开关半桥的特别是脉宽调制的相电位特别恒定的供电电压。

公开(公告)号：CN116097434A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180057460.6

申请日：2021-07-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·福斯特 ,  J·霍莫斯 ,  T·桑塔格

IPC: H01L23/498

Abstract: 本发明涉及一种电子电路模块(1)，具有：多层LTCC电路载体(20)，其由结构化的无机的基板层(22)构成，基板层具有电传导结构和/或热传导结构以用于电传导和/或热传导；至少一个电子器件(5)，被设置在LTCC电路载体(20)的第一侧(20.1)和/或相对置的第二侧(20.2)上；和至少一个SiC功率半导体(7)。在此，至少一个SiC功率半导体(7)嵌入多层LTCC电路载体(20)中，并且在至少三个侧面处被多层LTCC电路载体(20)包围，其中SiC功率半导体(7)的连接触点与LTCC电路载体(20)的电传导结构和/或热传导结构接触。