公开(公告)号：CN112106194B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201980031462.0

申请日：2019-05-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·辛纳 ,  A·凯撒 ,  J·齐普里斯 ,  C·席勒

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体功率模块的排热组件(20)，该排热组件具有三个堆叠的接合配对件(24、26、28)，以及涉及一种具有至少一个排热组件(20)的相应半导体功率模块和一种用于连接排热组件(20)的三个接合配对件(24、26、28)的层堆叠的方法，这些接合配对件(24、26、28)通过第一焊料层(22A)和第二焊料层(22B)材料配合地相互连接。在此，第一焊料层(22A)形成在导电的第一接合配对件(24)和电绝缘的中间接合配对件(26)之间，并且第二焊料层(22B)形成在电绝缘的中间接合配对件(26)和导电的第二接合配对件(28)之间，其中第一接合配对件(24)是待排热的第一导体迹线(24A)，在第一导体迹线上施加有第一电压电势，其中第二接合配对件(28)是用作散热器的第二导体迹线(28A)，在第二导体迹线上施加有与第一电压电势不同的第二电压电势，并且其中中间接合配对件(26)是电绝缘的中间层(26A)，该中间层在第一接合配对件(24)和第二接合配对件(28)之间形成电绝缘的散热路径。

公开(公告)号：CN113795917A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080034252.X

申请日：2020-04-08

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·M·劳腾萨克 ,  A·凯撒 ,  J·霍莫斯

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体功率模块(1)，具有第一功率晶体管(5LA)和第二功率晶体管(5LB)，第一功率晶体管(5LA)和第二功率晶体管(5LB)并联地布置在第一集电极导体迹线(11L)和第一发射极导体迹线(9L)之间，其中功率晶体管(5LA、5LB)的第一连接表面分别与第一集电极导体迹线(11L)导电连接，并且功率晶体管(5LA、5LB)的第二连接表面分别与第一发射极导体迹线(9L)导电连接，使得当功率晶体管(5LA、5LB)分别通过所施加的控制电压被导通时，在第一集电极导体迹线(11L)和第一发射极导体迹线(9L)之间流动的电流分配在两个功率晶体管(5LA、5LB)上，其中第一外部功率接触(P)在第一接触区域(KB1)处直接与第一集电极导体迹线(11)接触，其中第二外部功率接触(TL)通过第一连接元件(13)在第二接触区域(KB2)处与第一发射极导体迹线(9L)接触，并且其中第二接触区域(KB2)在机械上不对称地定位在与第一发射极导体迹线(9L)连接的功率晶体管(5LA、5LB)之间，使得在两个功率晶体管(5LA、5LB)处得到具有相同有效控制电压的电对称性。

公开(公告)号：CN112106194A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980031462.0

申请日：2019-05-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·辛纳 ,  A·凯撒 ,  J·齐普里斯 ,  C·席勒

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体功率模块的排热组件(20)，该排热组件具有三个堆叠的接合配对件(24、26、28)，以及涉及一种具有至少一个排热组件(20)的相应半导体功率模块和一种用于连接排热组件(20)的三个接合配对件(24、26、28)的层堆叠的方法，这些接合配对件(24、26、28)通过第一焊料层(22A)和第二焊料层(22B)材料配合地相互连接。在此，第一焊料层(22A)形成在导电的第一接合配对件(24)和电绝缘的中间接合配对件(26)之间，并且第二焊料层(22B)形成在电绝缘的中间接合配对件(26)和导电的第二接合配对件(28)之间，其中第一接合配对件(24)是待排热的第一导体迹线(24A)，在第一导体迹线上施加有第一电压电势，其中第二接合配对件(28)是用作散热器的第二导体迹线(28A)，在第二导体迹线上施加有与第一电压电势不同的第二电压电势，并且其中中间接合配对件(26)是电绝缘的中间层(26A)，该中间层在第一接合配对件(24)和第二接合配对件(28)之间形成电绝缘的散热路径。