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公开(公告)号:CN119340313A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202410963581.2
申请日:2024-07-18
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体模块。功率半导体模块具有电路载体和至少一个与电路载体连接的半导体开关、尤其是半导体开关半桥。功率半导体模块的电路载体具有电绝缘层、尤其是陶瓷层以及两个由绝缘区域、尤其是绝缘沟槽彼此分离的分别与电绝缘层连接的导电层。导电层分别与半导体开关的触点间隙接头电连接。功率半导体模块具有至少一个或仅一个金属成形体,该金属成形体与导电层连接并且构造用于,在超过预定的温度时熔化,消除绝缘区域,并且使通过绝缘区域彼此分离的导电层相互电连接、尤其是低电阻地电连接。