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公开(公告)号：CN107919263A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710905447.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明构思的目的是通过减少设置在基板支撑件的圆周处的环形件的磨损程度来延长更换周期。一种基板处理装置包括：腔室，其内部具有处理空间；支撑单元，支撑处理空间内的基板；气体供应单元，配置为将处理气体供应到处理空间；和等离子体源，配置为从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：静电吸盘，其上放置基板；第一环形件，围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周；第二环形件，围绕静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；插入体，设置于第二环形件中，并由导电材料制成；和阻抗控制单元，配置为调节插入体的阻抗。
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公开(公告)号：CN107342452A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710301673.4
申请日：2017-05-02
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01J37/32431 , H01J37/32798 , H01Q1/36
Abstract: 提供了一种天线和利用该天线的基板处理方法。该天线可以沿着具有预定曲率的虚拟基线延伸，并且包括该基线与交点之间的距离根据该基线上的位置而变化的部分，该交点为该天线与垂直于该基线的竖直线之间的交点。
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公开(公告)号：CN113410117A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110509672.5
申请日：2017-04-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法，其可以按每个区域控制基板的温度，并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括：支撑板，用于支撑基板；多个加热单元，放置在基板的不同区域中，并且按每个区域控制基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。
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公开(公告)号：CN108807122B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810383774.5
申请日：2018-04-26
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 所公开的发明为供电装置和包括该供电装置的基板处理装置。所述供电装置包括高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用所述高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率。所述功率分配器包括第一可变器件，其控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；以及第二可变器件，其对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿。
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公开(公告)号：CN107665805B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710627791.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，其布置在处理室中以支撑基板；供气单元，其被配置为将工艺气体提供到处理室中；等离子体产生单元，其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括：上电极，其布置在基板上；下电极，其布置在基板下方以与上电极竖直相对；三个高频电源，其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695132A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810257607.6
申请日：2018-03-27
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32651 , H01F27/28 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01J37/32669
Abstract: 公开了等离子体生成单元和包括其的基板处理装置。基板处理装置包括：处理室，该处理室在其内部具有处理空间；基板支撑单元，其构造为支撑处理空间中的基板；气体供给单元，其构造为将处理气体供给到处理空间；以及等离子体生成单元，其布置在处理室的外部并且构造为使处理室中的处理气体生成等离子体，其中等离子体生成单元包括：天线单元，其包括构造为使处理气体生成等离子体的多个天线线圈；以及磁结构，其包括布置在多个天线线圈之间的磁壁，其中天线单元包括具有环形形状的第一天线线圈，以及布置在第一天线线圈外侧且具有环形形状的第二天线线圈。
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公开(公告)号：CN113410117B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110509672.5
申请日：2017-04-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法，其可以按每个区域控制基板的温度，并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括：支撑板，用于支撑基板；多个加热单元，放置在基板的不同区域中，并且按每个区域控制基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及控制器，用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。
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公开(公告)号：CN108807122A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810383774.5
申请日：2018-04-26
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/321 , H03H7/40 , H01J37/32798 , H01J37/32431 , H01L21/67011
Abstract: 所公开的发明为供电装置和包括该供电装置的基板处理装置。所述供电装置包括高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用所述高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率。所述功率分配器包括第一可变器件，其控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；以及第二可变器件，其对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿。
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公开(公告)号：CN108695132B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201810257607.6
申请日：2018-03-27
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了等离子体生成单元和包括其的基板处理装置。基板处理装置包括：处理室，该处理室在其内部具有处理空间；基板支撑单元，其构造为支撑处理空间中的基板；气体供给单元，其构造为将处理气体供给到处理空间；以及等离子体生成单元，其布置在处理室的外部并且构造为使处理室中的处理气体生成等离子体，其中等离子体生成单元包括：天线单元，其包括构造为使处理气体生成等离子体的多个天线线圈；以及磁结构，其包括布置在多个天线线圈之间的磁壁，其中天线单元包括具有环形形状的第一天线线圈，以及布置在第一天线线圈外侧且具有环形形状的第二天线线圈。
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公开(公告)号：CN107919263B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710905447.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明构思的目的是通过减少设置在基板支撑件的圆周处的环形件的磨损程度来延长更换周期。一种基板处理装置包括：腔室，其内部具有处理空间；支撑单元，支撑处理空间内的基板；气体供应单元，配置为将处理气体供应到处理空间；和等离子体源，配置为从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：静电吸盘，其上放置基板；第一环形件，围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周；第二环形件，围绕静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；插入体，设置于第二环形件中，并由导电材料制成；和阻抗控制单元，配置为调节插入体的阻抗。
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