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公开(公告)号：CN107665805B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710627791.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，其布置在处理室中以支撑基板；供气单元，其被配置为将工艺气体提供到处理室中；等离子体产生单元，其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括：上电极，其布置在基板上；下电极，其布置在基板下方以与上电极竖直相对；三个高频电源，其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源。
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公开(公告)号：CN112420550A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010684893.1
申请日：2020-07-16
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本申请提供一种基板支承单元及具有该基板支承单元的基板处理装置，该基板支承单元通过在工艺腔室内构成下部电极的中央电极和边缘电极的阻抗变化来控制基板的中央区域和边缘区域的梯度。基板处理装置包括：壳体；喷头单元，其设置在壳体的内部上侧，并且将用于处理基板的工艺气体引入壳体的内部；以及支承单元，其设置在壳体的内部下侧，并且具有用于放置基板的静电卡盘，其中，静电卡盘包括：介电板，其构成主体；第一加热器，其对介电板的第一区域进行加热；以及第二加热器，其对介电板的第二区域进行加热，通过调节分别施加到第一加热器和第二加热器的电压或阻抗来控制基板的按区域的蚀刻率。
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公开(公告)号：CN112242285A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010683613.5
申请日：2020-07-15
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种用于处理基板的装置和方法。用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将工艺气体供应至所述处理空间中；RF电源，其供应RF信号以将所述工艺气体激发成等离子体；和匹配电路，其连接在所述RF电源与所述工艺腔室之间。所述匹配电路包括：阻抗匹配设备，其执行阻抗匹配；和谐波去除设备，其去除由所述RF电源引起的谐波。当感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，所述匹配电路以第一模式操作；当未感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，所述匹配电路以第二模式操作。
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公开(公告)号：CN112420550B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010684893.1
申请日：2020-07-16
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本申请提供一种基板支承单元及具有该基板支承单元的基板处理装置，该基板支承单元通过在工艺腔室内构成下部电极的中央电极和边缘电极的阻抗变化来控制基板的中央区域和边缘区域的梯度。基板处理装置包括：壳体；喷头单元，其设置在壳体的内部上侧，并且将用于处理基板的工艺气体引入壳体的内部；以及支承单元，其设置在壳体的内部下侧，并且具有用于放置基板的静电卡盘，其中，静电卡盘包括：介电板，其构成主体；第一加热器，其对介电板的第一区域进行加热；以及第二加热器，其对介电板的第二区域进行加热，通过调节分别施加到第一加热器和第二加热器的电压或阻抗来控制基板的按区域的蚀刻率。
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公开(公告)号：CN115295386A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210928718.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
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公开(公告)号：CN109727839B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201811276800.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
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公开(公告)号：CN109727839A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811276800.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
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公开(公告)号：CN107665805A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710627791.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，其布置在处理室中以支撑基板；供气单元，其被配置为将工艺气体提供到处理室中；等离子体产生单元，其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括：上电极，其布置在基板上；下电极，其布置在基板下方以与上电极竖直相对；三个高频电源，其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源。
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