等离子体生成单元以及包括其的基板处理装置

    公开(公告)号:CN108321073A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810372058.7

    申请日:2015-04-29

    CPC classification number: H01J37/3211 C23C16/505 H01J37/32174

    Abstract: 提供一种基板处理装置,其包括过程室、支撑单元、气体供应单元和等离子体生成单元。等离子体生成单元可以包括:电源;初级天线,其通过第一线路连接至高频电源;次级天线,其通过在第一接头处从第一线路分叉的第二线路连接至高频电源,初级天线和次级天线与电源并行连接;第三电抗器件,其通过在第二接头处从第二线路分叉的第三线路连接至电源,次级天线和第三电抗器件与电源并行连接;以及可变电抗器件,其安装在定位在第二接头和次级天线之间的第二线路上。

    基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法

    公开(公告)号:CN113410117B

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202110509672.5

    申请日:2017-04-28

    Abstract: 实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法,其可以按每个区域控制基板的温度,并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括:支撑板,用于支撑基板;多个加热单元,放置在基板的不同区域中,并且按每个区域控制基板的温度;电源单元,用于提供功率以控制基板的温度;开关单元,连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间,并且包括一个或多个晶体管器件;以及控制器,用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。

    基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法

    公开(公告)号:CN113410117A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110509672.5

    申请日:2017-04-28

    Abstract: 实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法,其可以按每个区域控制基板的温度,并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括:支撑板,用于支撑基板;多个加热单元,放置在基板的不同区域中,并且按每个区域控制基板的温度;电源单元,用于提供功率以控制基板的温度;开关单元,连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间,并且包括一个或多个晶体管器件;以及控制器,用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。

    基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法

    公开(公告)号:CN107342207A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710291951.2

    申请日:2017-04-28

    Abstract: 实施方式包括一种基板温度控制装置、一种包括基板温度控制装置的基板处理装置以及一种控制所述装置的方法,其可以按每个区域控制基板的温度,并且不增加装置的体积。所述基板温度控制装置包括:支撑板,用于支撑基板;多个加热单元,放置在基板的不同区域中,并且按每个区域控制基板的温度;电源单元,用于提供功率以控制基板的温度;开关单元,连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间,并且包括一个或多个晶体管器件;以及控制器,用于通过控制开关单元来控制提供给每个加热单元的功率。

    等离子体生成单元以及包括其的基板处理装置

    公开(公告)号:CN105023823A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510213842.X

    申请日:2015-04-29

    CPC classification number: H01J37/3211 C23C16/505 H01J37/32174

    Abstract: 提供一种基板处理装置,其包括过程室、支撑单元、气体供应单元和等离子体生成单元。等离子体生成单元可以包括:电源;初级天线,其通过第一线路连接至高频电源;次级天线,其通过在第一接头处从第一线路分叉的第二线路连接至高频电源,初级天线和次级天线与电源并行连接;第三电抗器件,其通过在第二接头处从第二线路分叉的第三线路连接至电源,次级天线和第三电抗器件与电源并行连接;以及可变电抗器件,其安装在定位在第二接头和次级天线之间的第二线路上。

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