公开(公告)号：CN101339970B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200810126483.4

申请日：2008-07-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 琵琶刚志 ,  西中逸平 ,  奥山浩之

IPC: H01L33/00 ,  G09F9/33 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/025 ,  H01L2224/0603

Abstract: 本发明提供了可以抑制在反向偏压时间期间内所生成的漏电流的GaN基半导体元件、使用其的光学装置以及使用光学装置的图像显示装置。该GaN基半导体元件具有：第一GaN基化合物层，包括n型导电层；第二GaN基化合物层，包括p型导电层；以及活性层，设置在所述第一GaN基化合物层和所述第二GaN基化合物层之间。在该GaN基半导体元件中，第一GaN基化合物层包括具有在3×1018/cm3～3×1019/cm3范围内的n型杂质浓度的底层，并且当施加5V的反向偏压时，作为流过活性层每单位面积的电流的密度的漏电流密度为2×10-5A/cm2以下。在本发明中，当施加反向偏压时，由于漏电流的抑制，防止了性能由于色度亮度干扰引起的劣化，抑制了功耗的增加，可以防止电路故障，使得可维持稳定且优化的操作性能。

公开(公告)号：CN100557831C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200580049054.6

申请日：2005-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  琵琶刚志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16

Abstract: 一种GaN基半导体发光元件，其中压电自发极化在有源层的厚度方向被抑制同时降低了发光二极管的驱动电压。GaN基半导体发光元件包括在层中顺序地形成的具有与A面平行的顶面的第一导电类型的第一GaN基化合物半导体层(21)、具有与A面平行的顶面的有源层(22)、具有与A面平行的顶面的第二导电类型的第二GaN基化合物半导体(23)以及由GaN基化合物半导体组成的具有与A面平行的顶面的接触层(24)。第一电极(25)形成于第一GaN基化合物半导体层(21)上，和第二电极(26)形成于接触层(24)上。

公开(公告)号：CN1447990A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814308.3

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  大畑丰治 ,  菊谷友志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139

Abstract: 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。

公开(公告)号：CN100527457C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680001573.X

申请日：2006-09-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 琵琶刚志 ,  奥山浩之

IPC: H01L33/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133621 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34333 ,  H04N9/315 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种GaN基半导体发光装置，包括(A)具有n型导电性的第一GaN基化合物半导体层(13)；(B)具有包括阱层和介于阱层之间起分隔作用的势垒层的多量子阱结构的有源层(15)；和(C)具有p型导电性的第二GaN基化合物半导体层(17)。该阱层设置在该有源层中以满足关系d1＜d2，其中d1为有源层中第一GaN基化合物半导体层侧的阱层密度，而d2为第二GaN基化合物半导体层侧的阱层密度。

公开(公告)号：CN1269230C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN01814308.3

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  大畑丰治 ,  菊谷友志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139

Abstract: 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。

公开(公告)号：CN100442550C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480000358.9

申请日：2004-02-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳 ,  大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。

公开(公告)号：CN101142693A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200580049054.6

申请日：2005-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  琵琶刚志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16

Abstract: 一种GaN基半导体发光元件，其中压电自发极化在有源层的厚度方向被抑制同时降低了发光二极管的驱动电压。GaN基半导体发光元件包括在层中顺序地形成的具有与A面平行的顶面的第一导电类型的第一GaN基化合物半导体层(21)、具有与A面平行的顶面的有源层(22)、具有与A面平行的顶面的第二导电类型的第二GaN基化合物半导体(23)以及由GaN基化合物半导体组成的具有与A面平行的顶面的接触层(24)。第一电极(25)形成于第一GaN基化合物半导体层(21)上，和第二电极(26)形成于接触层(24)上。

公开(公告)号：CN1628391A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03801828.4

申请日：2003-09-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大畑丰治 ,  奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳

IPC: H01L33/00 ,  F21S8/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24

Abstract: 在蓝宝石衬底上形成n型GaN层和在其上形成六角刻蚀掩膜。通过RIE方法，利用刻蚀掩膜将n型GaN层刻蚀一定深度，形成上表面是C面的六棱柱部分。在刻蚀掩膜被除去之后，以这种方式在衬底的整个表面上依次长出活性层和p型GaN层，以便覆盖六棱柱部分，从而形成发光器件结构。此后，在六棱柱部分上的p型GaN层上形成p侧电极和在n型GaN层上形成n侧电极。

公开(公告)号：CN101533885B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910127136.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 内藤宏树 ,  奥山浩之 ,  琵琶刚志 ,  西中逸平

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  G02F1/35 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。

公开(公告)号：CN101123292A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710142015.1

申请日：2007-08-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 琵琶刚志

IPC: H01L33/00 ,  H05B37/02 ,  G09G3/20 ,  G09G3/32 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L33/16 ,  G09G3/3216 ,  G09G3/3225 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0626 ,  H01L33/32 ,  H04N9/3155 ,  H05B33/0857

Abstract: 本发明公开了一种用于驱动发光二极管的方法，其包括用等于或者小于20A/cm2的范围内的电流密度来调节发光二极管的亮度的步骤。发光二极管包括p型层、n型层和发光层，发光层被布置在p型层与n型层之间并且具有含铟量子阱结构。p型层、n型层和发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III－V族化合物半导体晶体。发光层具有相对于c平面以0.25°至2°的角度倾斜的主表面。