公开(公告)号：CN100442550C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480000358.9

申请日：2004-02-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳 ,  大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。

公开(公告)号：CN1628391A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03801828.4

申请日：2003-09-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大畑丰治 ,  奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳

IPC: H01L33/00 ,  F21S8/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24

Abstract: 在蓝宝石衬底上形成n型GaN层和在其上形成六角刻蚀掩膜。通过RIE方法，利用刻蚀掩膜将n型GaN层刻蚀一定深度，形成上表面是C面的六棱柱部分。在刻蚀掩膜被除去之后，以这种方式在衬底的整个表面上依次长出活性层和p型GaN层，以便覆盖六棱柱部分，从而形成发光器件结构。此后，在六棱柱部分上的p型GaN层上形成p侧电极和在n型GaN层上形成n侧电极。

公开(公告)号：CN1698213A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000358.9

申请日：2004-02-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 奥山浩之 ,  土居正人 ,  琵琶刚志 ,  铃木淳 ,  大畑丰治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48137

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。